美光、南亚科携手42奈米加入DRAM新技术战局

发布于：2010-02-09 来源：中国闪存市场

美光(Micron)和南亚科正式宣布加入40奈米DRAM制程大战，今(9)日将携手宣布42奈米2Gb容量DDR3产品正式问世

群联新帝 侵权案和解

发布于：2010-02-09 来源：中国闪存市场

记忆卡控制IC大厂群联（8299）昨（8）日公告，与美商新帝（Sandisk）之间的侵权官司，双方已就民事部分达成和解，诉讼案正式告一段落。

英特尔大连芯片厂十月投产65纳米工艺生产芯片组

发布于：2010-02-08 来源：中国闪存市场

英特尔近日宣布，其大连芯片厂将在2010年10月份如期投产。大连芯片厂将采用65纳米工艺生产300毫米芯片组。

威刚2010年1月营收

发布于：2010-02-08 来源：中国闪存市场

记忆体模组厂威刚2010年1月自结营收为新台币36.94亿元，较2009年12月减少13.97%，与2009年同期相较则成长117.68%。

群联：SSD商机下半年可望卷土重来

发布于：2010-02-08 来源：中国闪存市场

NAND Flash业者群联董事长潘建成对于2010年NAND Flash前景乐观，表示现在NAND Flash产业在制程微缩进度上，最大的瓶颈浸润式微影设备(Immersion Scanner)交期延后，各厂在先进制程上的转进速度受阻，

鑫创推出高速TLC NAND控制晶片

发布于：2010-02-08 来源：中国闪存市场

走过供需与价格巨幅波动的一年，2010年将有两个影响NAND快闪记忆体市场的主要制程进展一为制程由30奈米世代往20奈米世代推进，一为记忆体大厂全面推出TLC NAND产品。

行动储存产品销售回稳　慧荣看好2010年复苏

发布于：2010-02-05 来源：中国闪存市场

慧荣科技(Silicon Motion)日前公布2009年第四季营收约2,300万美元，较第三季微幅衰退1%。单季总出货量约7,000万颗，较前一季成长5%。

威刚陈立白：产能不足 内存看涨

发布于：2010-02-04 来源：中国闪存市场

今年各大DRAM厂相继扩大资本支出，以进入DDR3领域，但是在各家厂商抢订机台之下，恐影响后续产出。威刚（3260）董事长陈立白指出，内存厂所需的浸润式曝光机台交期长达10个月以上，目前只能靠微缩制程增加产出，...

蔡笃恭 有史以来，今年Q1最好

发布于：2010-02-04 来源：中国闪存市场

力成(6239)举行法说会，公布自结去年第四季营收为新台币87.43亿元，较同年上季增加7.9%，每股盈余(EPS)为2.51元，较同年上季增加19.5%；去年全年营收为299.68亿元，较前年同期减少3.9%，去年EPS为7.4元，较前年同...

美国美光公司在西安高新区再投3亿美元

发布于：2010-02-04 来源：中国闪存市场

日前，西安高新区与美国美光科技公司签署新投资项目合作协议，美国美光科技公司在继2.5亿美元投资西安高新区后，将再投资3亿美元在高新区发展半导体测试项目。双方的正式签约，使高新区招商引资在新年内实现开门红。