安国SD3.0记忆卡控制晶片验证完成
编辑：Helan 发布：2010-03-31 08:19安国国际科技宣布，其SD3.0记忆卡控制芯片解决方案已完成样品验证。此外，该公司也正与客户进行相关系统环境及兼容性测试，将配合客户需求进行量产。
安国储存装置事业部副总郑金祯表示，SDXC最大记忆容量由将SDHC记忆卡的 32GB大举提升为60倍以上的2TB，能支持大量高分辨率多媒体影音档。此外，UHS模式读写速度将可加速至每秒104MB，但由于SDXC是全新接口，欲发挥其规格特色，接口转换速度必须取决于 SD Host，未来还有机会可达每秒300MB。
而安国的记忆卡控制芯片设计随SD3.0规格的演进而提升，以低耗电，高传输速度，高容错性为设计主轴，将可满足升级需求。此外，NAND快闪记忆体产业正值制程转换期，安国也正积极提升技术层次，以快速满足客户需求。
