恒忆推出新系列相变存储器

发布于：2010-04-28 来源：中国闪存市场

恒忆（Numonyx）作为相变存储技术（PCM）的创始者，宣布正式推出全新系列相变存储器。该系列产品采用被称为相变存储(PCM)的新一代存储技术，具有更高的写入性能、耐写次数和设计简易性，适用于固线和无线通信设备...

中芯国际去年净亏损9.6亿美元 营收10.7亿美元

发布于：2010-04-27 来源：中国闪存市场

中芯国际今日发布截至12月31日的2009年年度财务报告。报告显示，中芯国际2009年度净亏损9.6亿美元。销售额由2008年的13.5亿美元下跌20.9%至2009年的10.7亿美元。

群联首季EPS 2.85元 Q2持平

发布于：2010-04-26 来源：中国闪存市场

群联(8299)今下午法说会，公布最新首季财报，第一季毛利率10%、税后净利4.19亿元，每股税前3.37元，每股税后2.85元，低于去年第四季的5.06元。

三星合作案推升Rambus营收 与NVIDIA争讼近期或落幕

发布于：2010-04-26 来源：中国闪存市场

Rambus公布2010年第1季营收，由于三星电子(Samsung Electronics)与Rambus在2009年末达成协议，三星采用Rambus的技术，将在未来5年内替Rambus带入约9亿美元的收入，带动Rambus营收创下新高.

力成：封测景气还看不到乌云

发布于：2010-04-26 来源：中国闪存市场

记忆体封测业龙头力成（6239）总经理廖忠机指出，今年记忆体封测业相当乐观，可说是看不到乌云，力成营收将比去年成长两成，预计扩增35%到40%的产能，希望在三年内跃为全球第四大封测厂。

电子元件、数位产品收益优 东芝上修年度获利目标

发布于：2010-04-22 来源：中国闪存市场

东芝(Toshiba)22日于日股盘后发布新闻稿宣布，因删减固定费用及采购成本的效果显现，加上数位产品、电子元件以及家电等各部门收益优于原先预估。

中芯国际发布2010年第一季财务业绩及2009年业绩的最新资料

发布于：2010-04-22 来源：中国闪存市场

中芯国际集成电路制造有限公司（「中芯国际」或「本公司」）（纽约证券交易所：SMI；香港联交所：981）发布关于二零一零年第一季财务业绩及二零零九年全年业绩的最新资料。

海力士：一季度DRAM内存芯片平均售价季涨3％

发布于：2010-04-22 来源：中国闪存市场

海力士半导体公司22日公布，一季度公司的DRAM平均售价季比上升3％，发货量季比上升6％，NAND闪存芯片售价季比下降8％，发货量季比持平。

Hynix Q1净利升至8,172亿韩圜优于市场预期

发布于：2010-04-22 来源：中国闪存市场

全球第2大记忆体制造商Hynix Semiconductor Inc. 22日公布第1季(1-3月)财报(排除海外子公司的贡献)：净利达8,172亿韩圜(7.38亿美元)，优于去年同期的净损1.19兆韩圜，并创06年Q4以来新高(当季净利达创纪录的1兆韩圜

海力士跳电 DRAM再添利多

发布于：2010-04-22 来源：中国闪存市场

继三星器兴厂传出跳电之后，全球第二大存储器厂海力士（Hynix）昨（21）日也传出仁川（icheon）厂跳电。据报导，跳电时间短暂，仅0.1秒的产能中断，对生产线影响不大。