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Hynix无锡封测厂完工 可月产1亿颗1GB DRAM

发布于:2010-06-17 来源:中国闪存市场

全球第2大记忆体制造商Hynix 17日宣布,该公司已与大陆厂商无锡太极实业合作在江苏省无锡市建成第二座记忆体厂房,名称为「高科技半导体封装测试公司(Hitech Semiconductor Package and Test)」。

旺宏推三维堆叠NAND Flash技术 适用1X奈米以下制程

发布于:2010-06-17 来源:中国闪存市场

旺宏董事长卢志远指出,传统NAND型快闪记忆体将在制程技术进步到2X奈米以下时面临技术上的关卡,而三维堆叠记忆体单元阵列(cell array)架构是在制程技术缩减至1X奈米以下时最被看好的NAND型快闪记忆体技术。

创见Q2获利将明显优于Q1 下半年成长强劲

发布于:2010-06-17 来源:中国闪存市场

对于DRAM与NAND Flash价格走势的看法,指出,现在的DRAM价格还是太高了,若DDR3 1Gb价格下跌至2美元的话,将可以刺激需求出笼。 NAND Flash要上涨也不太容易,现在的价位对于上下游厂商都算是可以接受的范围,如...

欧元贬NB涨价恐冲击需求 联阳Q3业绩无旺季效应

发布于:2010-06-17 来源:中国闪存市场

欧债冲击确实影响了客户端拉货力道,第2 季NB与网通产品的业绩都受到影响,不过由于欧债导致欧元贬值,NB系统厂针对欧元计价的产品售价有调涨动作,长期来看恐会冲击消费者需求,因此预估联阳第3 季旺季效应可能...

创见股东会通过配息6元 内湖二厂预计年底落成

发布于:2010-06-17 来源:中国闪存市场

展望未来,创见将持续开发DRAM 及NAND Flash 相关产品,并积极投入USB3.0相关技术开发,抢攻传输规格世代交替的千亿商机。值得一提的是,创见与工研院共同合作,开发出可以同时与USB2.0 及3.0 相容的记忆卡介面,...

京元电转投资京隆、坤远 今年将有获利贡献

发布于:2010-06-17 来源:中国闪存市场

IC测试厂京元电(2449)转投资京隆(苏州厂)以及坤远(封装厂)在2009年已出现单月获利,以全年帐上的实绩来看,投资损失已较前年度减少1.13亿元,减少幅度达45%,预计今年将转亏为盈,带来获利贡献。

矽品:新兴市场需求惊人IC产业向上趋势不变

发布于:2010-06-17 来源:中国闪存市场

尽管近期产业受到欧债事件等干扰,但新兴市场惊人需求足以弥补欧洲市场的需求犹有余,IC产品数量依旧持续成长,因此下半年景气仍将比上半年好。即使短期性1~2个季度的产业修正亦属合理,外界不须过于紧张。

客户转换铜制程意愿增 封测双雄加速添购打线机台

发布于:2010-06-17 来源:中国闪存市场

一线封测大厂发展铜线打线封装制程正如火如荼地进行,日月光和矽品加紧增购相关机台脚步,日月光将提前1个季度的进度将铜制程打线机台数量拉升至3,000台;

矽品股东会相关介绍

发布于:2010-06-17 来源:中国闪存市场

2010年全球经济迈向复苏之路,预估经济成长率由负转正,唯仍需留意金价、汇率、油价及原料价格的变化对公司营运的影响。预估2010年的营收将呈现正成长,预期全年封装销售数量52亿颗、测试14亿颗。

京元电Q3优于Q2 积极争取海外客户订单

发布于:2010-06-15 来源:中国闪存市场

专业IC测试厂京元电(2449)董事长李金恭表示,去年受到金融风暴影响,导致全年出现亏损,无法配发股利,展望今年获利看好,另外,公司积极争取海外客户订单,未来将可望成为扮演重要的营运推手。

股市快讯 更新于: 10-18 15:17,数据存在延时

存储原厂
三星电子97900KRW+0.20%
SK海力士465500KRW+2.87%
铠侠6560JPY-4.65%
美光科技202.380USD-0.07%
西部数据126.200USD+0.22%
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南亚科技104.0TWD+9.59%
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慧荣科技94.140USD+1.93%
联芸科技57.10CNY-3.35%
点序83.7TWD-2.67%
品牌/模组
江波龙177.90CNY-2.05%
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宜鼎国际413.0TWD-3.50%
创见资讯133.0TWD-4.66%
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世迈科技21.740USD-3.33%
朗科科技28.73CNY-2.68%
佰维存储104.40CNY-8.06%
德明利183.03CNY-6.84%
大为股份20.28CNY-2.87%
封测厂商
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长电科技39.50CNY-5.32%
日月光196.0TWD+2.35%
通富微电38.77CNY-9.46%
华天科技12.96CNY+10.02%