英特尔推出3D TLC数据中心级M.2 SSD

发布于：2016-10-28 来源：中国闪存市场

随着大数据时代的来临，数据中心级固态硬盘需求也在飞速增长中。

受Note7拖累，三星Q3移动部门运营利润环比暴跌98%

发布于：2016-10-27 来源：中国闪存市场

数据显示总营收为47.82万亿韩元（418.7亿美元），同比下降了7.5%，环比下滑6.1%；营业利润为5.2万亿韩元（45.53亿美元），同比下滑29.6%，环比下滑36.1%；净利润为4.54万亿韩元（39.75亿美元），同比下滑16.8%，...

收购闪迪后，西数首个综合性季度营收达47亿美元，同比增长40%

发布于：2016-10-27 来源：中国闪存市场

西部数公布了截止至2016年9月30日的2017年第一季度财报，其整体营收为47亿美元，营收利润为2.32亿美元，净亏损3.66亿美元，或每股亏损1.28美元。按美国通用会计准则（GAAP），净亏损与公司最近的收购和债务清偿费...

SK海力士拓展晶圆代工 拼产CMOS

发布于：2016-10-27 来源：MoneyDJ

南韩存储器大厂SK海力士，今年靠DRAM、NAND赚饱饱，不过该公司并未就此放松，还打算拓展版图，抢攻晶圆代工业务，锁定CMOS影像传感器、显示器驱动IC(DDIC)、电源管理IC(PMIC)等。

南亚科：Q4市况供不应求 DRAM报价估上涨5%

发布于：2016-10-27 来源：MoneyDJ

DRAM厂南亚科昨(26)日举行法说会，展望第四季，南亚科总经理李培瑛对市况乐观看待，认为第四季供不应求的情况比第三季更严重，且标准型、消费型、服务器与手机用存储器都会出现供给缺口，并预估第四季DRAM平均报...

东芝推出新eMMC和UFS 2.1嵌入式存储芯片

发布于：2016-10-26 来源：中国闪存市场

东芝最新的‘Supreme+’eMMC是基于JEDEC5.1标准，采用了15nm MLC NANDFlash，其存储容量范围为16GB-128GB，顺序读写速度分别高达320MB/s和180MB/s，与之前的产品相比，读写速分别提升了2%和20%；随机读写

三星致力提升64层3D NAND Flash生产良率

发布于：2016-10-26 来源：DIGITIMES

据韩媒News 1报导，业界传闻三星副会长权五铉下令，年底前必须尽全力提高64层3D NAND Flash生产良率。三星将兴建中的平泽半导体厂产线取名为L18，规划从2017年第2季开始量产第四代64层3D NAND Flash，2017年第4季...

SK海力士Q3净利润5.26亿美元，环比增长一倍

发布于：2016-10-25 来源：中国闪存市场

SK海力士公布其截止到9月30日的2016年第三季度财报，数据显示其总营收为4.24兆韩元（约37.32亿美元），环比增长8%，同比下滑14%；营业利润为0.726兆韩元（约6.39亿美元），环比增长60%，同比下滑48%；净利润为0.5...

3D SSD添新兵，创见推SSD230系列3D SSD

发布于：2016-10-24 来源：中国闪存市场

随着2D技术发展瓶颈的凸显，2016年Flash原厂三星、东芝、美光、SK海力士等纷纷扩大或加快3D NAND投产，且3D技术向64层堆叠推进，标志着3D NAND时代已正向我们走来。

三星推出业内首款10纳米级8GB LPDDR4

发布于：2016-10-20 来源：中国闪存市场

随着智能型手机主芯片CPU规格不断提升，手机对存储速度和容量的要求也在不断增加。三星今天宣布推出业内首款10nm 级8GB LPDDR4移动DRAM，这款8GB LPDDR4芯片是将4颗最新16Gb颗粒封装在一起，并采用了先进的10nm级...