矽品加码资本支出至179亿元台币 扩充高阶封测产能

发布于：2016-11-04 来源：MoneyDJ

矽品昨(3)日召开董事会，通过增加资本预算12亿元（新台币，下同）案、系今年第二度增加，拟用以扩充高阶封装测试产能；今年资本预算总额也自167亿元调整为179亿元。矽品董事会昨日也决议通过出售闲置之新竹二厂及...

Marvell宣布重组计划 将裁员900人

发布于：2016-11-03 来源：中国闪存市场

Marvell昨日在美国公布了最新针对研发的重组计划，为提升整体盈利能力布局，这些重组策略预计将在2017年10月底前全部落实到位，预计可以将年度运营费用从目前的10.8亿美元降低到8.2~8.4亿美元。

SK海力士全力发展CIS、PMIC及DDIC事业

发布于：2016-11-02 来源：DIGITIMES

据韩媒ET News报导，SK海力士的非存储器半导体事业发展方向日前定案，已进入执行阶段；SK海力士并以45亿韩元(约397万美元)向子公司Silicon File取得相关资产设备。Silicon File由于让出CIS事业资产，成为SK海力士...

金士顿推256GB Class 10 UHS-I闪存卡

发布于：2016-11-01 来源：cnBeta

金士顿公司宣布推出具备防水特性的256GB大容量Class 10 UHS-I microSDXC卡，自然如果你并不需要这么大的容量公司也提供了16GB、32GB、64GB和128GB的容量选项。

建兴睿速V5系列入门级SSD将上市：海力士16nm TLC闪存

发布于：2016-10-31 来源：超能网

建兴在今年年初推出T9系列SSD后就有很长一段时间没有新品放出，现在一款新产品就在路上，建兴睿速V5系列即将上市。

对手远远落后 传三星明年生产15nm DRAM

发布于：2016-10-31 来源：MoneyDJ

BusinessKorea 31日报导，半导体产业透露，三星存储器部门今年初量产18nm制程DRAM，准备在明年下半生产15、16nm DRAM。同时，该公司将拉高18nm DRAM占整体DRAM的生产比重，目标明年下半提高至30~40%。

三星2016年总资本支出将达235亿美元 创新高

发布于：2016-10-31 来源：DIGITIMES

根据Androidheadlines.com及Business Korea报导，截至第3季，三星已投资14.7兆韩元，因此第4季将再投资12.3兆韩元。

西数以两款新SSD产品解决VMware环境中的应用负荷需求

发布于：2016-10-31 来源：集微网

西部数据公司宣布旗下两款引人注目的数据中心设备已获得可用于VMware®环境1的相关认证: 大容量且经济划算的SanDisk品牌CloudSpeed™ Eco Gen. II SATA SSD和 HGST品牌的Ultrastar&

SSD/eMMC需求加持，慧荣Q3净利润大涨148%，创历史新高

发布于：2016-10-28 来源：中国闪存市场

慧荣公布了截止至9月30日的2016年Q3财报，按照美国通用会计准则（GAAP），第三季度总营收从Q2季度的1.41亿美元增长至1.59亿美元，环比增长13%，同比大涨66%。营业利润为3852万美元，环比增长6%，同比增加98%；净...

英特尔推出3D TLC数据中心级M.2 SSD

发布于：2016-10-28 来源：中国闪存市场

随着大数据时代的来临，数据中心级固态硬盘需求也在飞速增长中。