Marvell为HPE Gen 10服务器提升光纤通道连接

发布于：2019-10-11 来源：Marvell

Marvell宣布，其加强版32GFC PCIe® 4.0 QLogic® HBA现已可从Hewlett Packard Enterprise（HPE）获取，适用于HPE ProLiant和Apollo Gen 10服务器。

三星慕尼黑代工论坛：汽车级半导体产品已获得ISO 26262认证

发布于：2019-10-11 来源：中国闪存市场

10月10日，三星电子在慕尼黑代工论坛上介绍了最先进的代工工艺产品组合，包括欧洲市场感兴趣的汽车半导体解决方案。

传三星西安二期工厂将在2020年2月投入量产

发布于：2019-10-10 来源：中国闪存市场

据外媒Business报道称，三星正考虑对其在中国西安兴建的二期半导体工厂进行额外投资。据消息人士透露，三星计划明年将存储器芯片设施的资本支出小幅增加至65亿美元（约合7.78万亿韩元），而计划是将增加的这部分...

KIOXIA（铠侠）正式开始运营

发布于：2019-10-10 来源：铠侠

铠侠股份有限公司（原东芝存储）近日宣布将以新的公司名称正式运营，即时生效。

美光任命徐国晋为美光副总裁暨台湾美光董事长

发布于：2019-10-09 来源：美光官网

美光科技宣布由徐国晋出任美光副总裁暨台湾美光董事长，管理美光在台三家子公司，包括台湾美光内存、台湾美光晶圆及台湾美光半导体；并领导美光高量产的DRAM卓越中心，致力在人工智能、机器学习等新兴内存应用领...

南亚科Q3营收环比增长，看好Q4 DRAM供需关系持续稳定

发布于：2019-10-09 来源：中国闪存市场

南亚科技总经理李培瑛指出，估计2019年第4季DRAM供需关系可望持稳，价格有机会持平或是出现小涨、小跌态势，由于正逢品牌手机新品发表旺季，DRAM搭载量持续看增。

美光第四代3D NAND存储芯片完成首次流片，采用新型替代栅极架构

发布于：2019-10-08 来源：中国闪存市场

美光科技宣布第四代3D NAND存储芯片完成首批流片，新一代产品基于美光全新研发的替代栅极架构，美光表示，新一代产品计划于2020年实现量产，但是仅仅会应用在特定领域中。

慧荣科技Q3财报预估：季度营收将重回亿元美金大关，优于预期

发布于：2019-10-08 来源：中国闪存市场

Silicon Motion（慧荣科技）宣布2019年第三季度初步财务业绩，预计营收（非GAAP）将高于之前预估值1.04亿到1.08亿美元区间的平均值，毛利率（非GAAP）预计也将接近之前预估值48.0%至50.0%的平均值。

南亚科9月销售额50.01亿台币，较上月减少4.23%

发布于：2019-10-08 来源：中国闪存市场

Nanya（南亚科技）宣布其2019年9月的未经审核合并净销售额为NT $ 50.01亿，较上月减少4.23%，较上年同期减少37.32%。

三星开发出首个12层3D-TSV技术的高性能HBM2，容量24GB

发布于：2019-10-08 来源：中国闪存市场

三星电子宣布，已开发出业界首个12层3D-TSV（(Through Silicon Via）技术，需要通过超过60,000多个TSV孔的三维结构垂直互连12个DRAM芯片。