从HBM5开始,冷却技术将成为关键,通过3D异构集成和先进封装技术,将部分基础芯片(Base Die)移至HBM顶部。
据悉三星电子将从第五代HBM"HBM3E"开始应用飞秒激光。但由于设备刚启动导入,实际目标产品更可能是第六代"HBM4"。
英韧科技推出的PCIe 5.0 SSD——洞庭-N3(Dongting-N3)系列,凭借其卓越的性能、超低延迟与高可靠性,全面满足AI大模型在训练过程中的严苛需求,为数据中心提供高效、稳定的存储支持。
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对于未来业绩展望,郭鲁正表示:“今年和明年的业绩很难预测,但目前为止,一切进展都与计划相符,让我们共同努力,实现计划。”
美光曾计划到2030年代中期,通过爱达荷州博伊西和纽约州克莱镇的两大生产基地,将40%的DRAM产能转移至美国本土。但鉴于当前延误,能否如期执行该计划尚不明朗。
在多路监控、多路录像等高并发数据写入的应用场景中,佰维TDC 200系列工业级SD Card 与 microSD Card凭展现出卓越的稳定性与高效性能,确保画面不丢帧、视频不断流,完整记录每一秒关键画面。
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美光 HBM4 采用 2048 位接口,每个内存堆栈的速度超过 2.0 TB/s,性能较上一代提升 60% 以上,将帮助 AI 加速器更快地响应并更有效地进行推理。
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首批SOCAMM模块基于堆叠式 LPDDR5X 芯片,将用于英伟达即将推出的 AI 加速器平台 Rubin,该平台计划于明年发布。
这起诉讼引发的问题极其重要,因此法院有必要采取罕见措施,由11 名法官组成的法庭审理上诉,而不是原本由三名法官组成的合议庭审理。法院预定将于7月31日辩论。
干式PR在超精细工艺(如10纳米级别)中更具优势,可避免湿式PR因液体显影和剥离导致的图案变形问题,同时提高曝光精度,提高良率。
SK海力士将把4F² VG(垂直栅极)平台和3D DRAM技术应用于10纳米及以下工艺,并在结构、材料和组件方面进行创新。
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本次交易实施后,海光信息将承继及承接中科曙光的全部资产、业务、人才、研发成果及其他一切优势资源。基于此,海光信息将延展出与芯片紧密配套的下游业务矩阵,进一步增强海光高端芯片与整机系统间的生态协同。
十铨表示,尽管全球总体经济环境仍充满不确定性,其主要产品线仍持续稳定出货,其中,AI与工控应用需求稳定增长,主流DDR5市场也持续扩展。DDR4方面,公司已提前启动采购与备货规划,维持出货节奏与应用端需求接轨,强化整体竞争力与市场布局。