SK海力士：下半年提供HBM4E样品，2027年实现量产

据媒体报道，SpaceX在1.75万亿美元IPO前夕披露，计划通过与特斯拉、xAI合建的Terafab项目自主制造GPU，并将其列为重大资本支出，警告称芯片供应短缺可能制约公司增长。此举旨在破解芯片供应瓶颈，强化太空与AI布局。

NEO Semiconductor宣布，其新一代记忆体技术3D X-DRAM已完成概念验证，并已获得由宏碁创办人施振荣领军的策略性投资。3D X-DRAM采用存储单元垂直整合架构，突破传统存储容量扩展限制。该技术有望应用于HBM、DDR，以及AI与HPC等领域。

冲突引发的连锁反应，正逐渐成为半导体材料供应链的新冲突引爆点。据韩媒报道，日本多家主流光刻材料供应商已通过其韩国子公司，向三星电子、SK 海力士等半导体客户告知原材料采购受阻问题，或正准备下发相关通知。消息称，部分日本企业已于 4 月 21 日完成内部通报，计划在内部会议结束后，于 4 月 23 日正式向韩国合作客户说明此次供应问题。本次短缺的核心材料为丙二醇甲醚（PGME）与丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA），二者是电子材料领域应用广泛的溶剂。

据韩媒报道，23日下午由三星电子内部三个工会组成的联合斗争总部在三星韩国平泽园区进行集结，截至下午2点集会正式开始，约有4万人聚集，工会方面要求三星发放占营业利润15%的绩效奖金，并废除绩效奖金上限。若劳资未能达成协议，劳方计划从5月21日至6月7日发起为期18天的全面罢工。今日举行的决议集会旨在罢工前展示工会的“实力”。

当地时间4月22日，JEDEC发布了一系列计划纳入其JESD209-6 LPDDR6标准下一版本的新特征预览，致力于将LPDDR6的应用范围从移动平台扩展到支持特定数据中心和加速计算工作负载。即将推出的LPDDR6更新计划包括以下内容：更窄的芯片接口（x6）以实现更高的容量；支持灵活的元数据分离；容量有望突破当前LPDDR5/5X的最大容量限制达到512GB；正在制定中的LPDDR6 SOCAMM2模块标准。此外，LPDDR6 PIM 存内处理技术标准制定也接近完成。

Nextorage（群联旗下日本存储模组企业）宣布推出 G Series EEA固态硬盘，提供1TB、2TB、4TB、8TB四种容量版本。该SSD采用PCIe Gen4 × 4接口，搭载3D QLC NAND闪存，整体方案为DRAM-less HMB+SLC Cache，质保期1年。

特斯拉官方微博今日发文，第三代人形机器人预计年中亮相，2026年7-8月启动正式投产，产品测试稳步推进，预计明年投入外部场景应用。

对于地缘冲突对产能的影响，SK海力士表示公司已实现原材料供应商多元化，并已确保充足的库存，因此实际影响非常有限。

谷歌云发布最新一代张量处理单元（TPU）两款芯片，旨在提升人工智能计算服务的速度和效率，其中，TPU 8t专用于AI训练任务，TPU 8i则用于运行AI推理任务。据介绍，TPU 8t在性能上是公司去年11月发布的第七代Ironwood TPU的2.8倍，而价格相同；TPU 8i采用静态随机存储器（SRAM），性能较上一代提升了80%。

据业界消息，DeepSeek(深度求索)正在寻求首轮外部融资，国内多家大厂有意入局。腾讯与阿里巴巴正就投资DeepSeek展开洽谈。受强烈市场兴趣推动，DeepSeek的目标估值已从最初的至少100亿美元上调至超200亿美元，融资规模也可能随之扩大。

台积电副共同营运长张晓强近日公开表示，该司目前没有采用 ASML最新高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV）的计划，这类设备单台价格超过 3.5 亿欧元，太贵了，台积电仍然能够从现有 EUV 设备中获益。

据媒体报道，由于特斯拉的存储需求激增，4月三星向特斯拉供应的8GB GDDR6 DRAM较第一季度月均水平增长了三倍。三星已提高位于韩国华城工厂的产能，以满足客户对DRAM的需求，还计划在2026年下半年于得克萨斯州的工厂开始为特斯拉生产先进的人工智能芯片。

近日，英特尔正式提出“智能体PC”概念。英特尔中国区技术部总经理高宇介绍，智能体PC的核心是端-云混合AI。云端负责更强推理和长上下文处理，本地负责隐私保护、低成本运行和高频任务处理，通过智能路由实现能力最优分配。产品形态涉及笔记本、Mini PC、一体机、AI Box、AI NAS、边缘网关等。据悉，智能体PC的主流配置采用第三代酷睿Ultra8核/16核处理器、16GB以上内存，运行Qwen3.5(9B/4B)等中量级语言模型。

据韩媒报道，SK海力士已正式启动其位于美国印第安纳州的半导体生产基地建设，项目投资额达5.7万亿韩元（约合39亿美元）。这是SK海力士在美国的首家半导体工厂。据业内人士透露，SK海力士于近日通知当地社区，将开始桩基施工，预计上部结构将于今年下半年开始搭建。据悉，该基地计划于2028年下半年全面投产，预计第七代和第八代高带宽内存（HBM4E、HBM5）可能成为主要产品。

针对业界对于英伟达硬件价格高昂的质疑，其首席执行官黄仁勋近日给出了独特的成本逻辑：虽然 Blackwell 或即将推出的 Rubin 平台造价高达数百万美元，但这些系统能产生前所未有的 Token 数量。通过将巨额硬件成本分摊至海量的产出中，英伟达实现了最低的单位 Token 成本。同时，系统在能效比上也达到了最低的 Token / 瓦特，进一步降低了运营支出。

据韩媒报道，由于担心良率达不到预期目标而导致投资回报率（ROI）下降，三星已推迟其10nm级第七代DRAM（1d DRAM，以下简称D1d）初期量产计划。据悉，三星原计划在完成预生产批准（PRA）流程后，于今年第一季度开始D1d的实际试生产。目前三星正在全面重新审视工艺路线图，集中精力进一步提高良率。

晶圆代工厂力积电日前于法说会上透露，与美光合作的1P制程已进入开发阶段，新机台预计2027年第1季搬入，2028年上半年完成试产，下半年进入量产。1P制程的晶圆颗粒数是现有主力制程平台的2.5倍，对未来DRAM产值增加将带来明显助益。此外，与美光合作的HBM后段晶圆制造（PWF）产线已于新竹厂区扩建无尘室，预计2026年第3季开始机台搬入，2026年第4季开始试产，2027第4季进入量产，目标月产能2万片。