消息称三星推迟1d DRAM量产时间

存储器 网络 Andy 2026-04-22 15:33

据韩媒报道,由于担心良率达不到预期目标而导致投资回报率(ROI)下降,三星已推迟其10nm级第七代DRAM(1d DRAM,以下简称D1d)初期量产计划。据悉,三星原计划在完成预生产批准(PRA)流程后,于今年第一季度开始D1d的实际试生产。

报道称,三星电子管理层近期对D1d芯片的良率和投资回报率进行了评估,得出的结论是该芯片暂不适合量产。由于工艺难度呈指数级增长,难以保证产品质量稳定,因此决定不强行推进生产线运行。

D1d是三星电子将应用于第九代高带宽内存HBM5E的关键产品。虽然1c DRAM可以支持第六代到第八代内存(HBM4、HBM4E、HBM5),但从HBM5E开始,稳定的D1d供应至关重要。

据消息人士透露,三星电子计划无限期推迟量产,直到D1d良率达到目标水平。三星正在全面重新审视工艺路线图,集中精力进一步提高良率。

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