随着全球经济可望在2010年复苏,明年各种NAND Flash的终端应用产品的出货量也将转为成长

DRAM景气回春,报价持续走扬,今年10月7日DDR2 1Gb现货收盘价已全面站上2美元关卡,DDR2 1Gb有效测试颗粒(eTT)成功突破2美元关卡至2.07美元,为近2年新高价位;刚出炉的10月上旬合约价,DDR2再涨7%,并首度超越DDR3。

全球快闪记忆卡龙头新帝(SanDisk)再度推出全新的高速产品Extreme Pro CF卡,采用具专利的Power Core控制晶片,让CF卡的读写速度提升至每秒90MB,较上一代产品的效能提高1倍,再度为业界定下新标准;

新帝(SanDisk)推出的新一代「Extreme Pro CF卡」诉求高容量和高读写速度,容量包括16GB到64GB,读写速度达每秒90MB,较上一代产品的效能提高1倍。最重要的是内建新帝具专利的Power Core控制晶片,因此可再度成为快闪记忆卡产业

危机已过? 台系DRAM厂未来策略分析 在经历长达两年多的景气下跌,台系DRAM厂今年初积极布局,力图从不景气中走出新方向,第二季景气逐渐复苏下,预估在今年下半年,台系厂商在DRAM营运方面皆可产生营运现金净流入。 标准型DRAM合约价在2007年

DRAM厂9月营收劲扬;现货价持续攀高,10月合约价亦看涨,有利DRAM厂10月营收再创下创下亮丽成绩。

尔必达计划明年首季开始,在茂德下单 2-3万片的 DDR2DDR3,而已成立的TIMC目前也以茂德中科厂为研发生产基地,另外也洽谈 2万片的编码型快闪记忆体 (NOR Flash),加上与潜在性客户积极洽谈,若明年景气持续好转,茂德产能利用率可望由目前 2

创见并透露,第 3季毛利率受惠于 DRAM 及 NAND Flash 颗粒价格平稳上涨,库存策略保持稳健,毛利率将保持双位数以上水准。

随着全球经济可望在2010年复苏,明年各种NAND Flash的终端应用产品的出货量也将转为成长,研究机构集邦科技(DRAMeXchange)表示,未来手机、SSD、记忆卡将内建更高容量NAND Flash,预估2010年全球NAND Flash将出现缺货

DRAM族群9月营收亮眼,南科(2408)、华亚科(3474)、力晶(5346)、威刚(3260)昨(5)日公布单月营收都创至少一年来新高。力晶转投资的瑞晶单月更已呈现获利,华亚科、南科可望随势跟上转盈。

随着全球经济可望在 2010 年复苏,明年各种NAND Flash 的终端应用产品的出货量也将转为成长,未来手机、SSD、记忆卡将内建更高容量NAND Flash,但制造商明年扩产计划保守,预估2010年全球NAND Flash将出现缺货,供需缺口约 2%

随着价格反弹号角响起,DRAM产业已正式宣告走出谷底,这次全球DRAM产业洗牌战,只洗掉欧系奇梦达(Qimonda),台厂体质虽孱弱,但仍奋战到底,随着台厂逐渐步入转亏为盈,并开始现金流入,未来将再累积现金水位、增加投片,以迎接景气复苏。

三星电子(Samsung Electronics)证实固态硬碟(SSD)制造商的反应,由于传统SSD控制器无法配合,导致采用32奈米制程的三星NAND型快闪记忆体(Flash)速度不如预期。

受惠DRAM合约价持续上扬,1Gb现货价格也上攻2美元,台系DRAM厂9月营收表现相当出色

华邦近期随表准型DRAM价格大涨,除公司标准型DRAM产品线营收表现可望提升下,也带动其余如Specialty DRAM、Mobile RAM及NOR Flash等产品价格略为上涨,预期9月营收仍可望维持约19亿元左右的今年相对高档水准。

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