三星证实32奈米Flash读写慢 将推新SSD控制器改善

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-10-06 08:59
据网站Daily Tech报导,三星电子(Samsung Electronics)证实固态硬碟(SSD)制造商的反应,由于传统SSD控制器无法配合,导致采用32奈米制程的三星NAND型快闪记忆体(Flash)速度不如预期。目前三星正为自家的SSD研发新款的SSD控制器,接近完成阶段。三星表示,已经花费数月研发以及微调自家SSD的控制器及韧体,并已经与多数的PC OEM厂商密切合作中。
随着制程越先进,电晶体体积越小,电流通过难度增加,SSD控制器上的错误侦测功能(Error Checking and Correcting;ECC)功能需要更强,但若是ECC功能不够有力,错误就会累积过多,这很有可能是三星32奈米NAND Flash发生的问题。
然这样的问题并非三星所独有,Daily Tech访问的厂商表示,东芝(Toshiba)的32奈米Flash也曾经有同样的问题,不过已经克服。英特尔(Intel)和美光(Micron)合资的IM Flash Technologies,也延后34奈米量产达6个月,Daily Tech推测很可能也是一样的原因所造成。
多数Daily Tech访问的厂商是采用Indilinx的barefoot快闪记忆体控制器,Indilinx是研发总部设在南韩,商业总部设在美国加州的SSD制造商。 Indilinx也正在积极排除问题,然可能需要一段时间。
 

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