2010年NAND Flash供需缺口约2% 价格变动趋缓

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-10-06 09:19

  

随着全球经济可望在 2010 年复苏,明年各种NAND Flash 的终端应用产品的出货量也将转为成长,未来手机、SSD、记忆卡将内建更高容量NAND Flash,但制造商明年扩产计划保守,预估2010年全球NAND Flash将出现缺货,供需缺口约 2%。
预估明年 MP3记忆卡及 UFD(随身碟)等 NAND Flash传统应用产品内建容量将持续提高,新的应用领域也将为NAND Flash市场带来新的成长动力,例如智慧型手机出货量将持续成长,且搭配更高的NAND Flash 内建容量,供应商也将更积极推广 SSD在各种电脑相关的应用领域。
就NAND Flash供给面而言,目前多数NAND Flash供应商多处在由亏转盈的阶段,许多供应商将以2010年市场需求的成长率,来做为明年产出成长目标参考,以使NAND Flash市场能维持在较平衡的状态,供应商目前对明年的扩产计划仍多保守,预期2010年 NAND Flash晶圆总产出量将仅比2009年微幅增加,估计明年资本支出仍将以制程技术升级为主。
由于多数供应商于今年第 4季才逐渐增加3x奈米制程技术产量,预期这些供应商量产2x奈米制程技术时程将落在明年下半年;此外,供应商也是自第 4季才正式量产3-bitcell MLC的产品,估计在经过一段推广期及产品技术改良后,出货比重才可望在明年下半年明显提高。
估计2010年NAND Flash需求位元产出将比今年成长 81%,达到 10986M GB,至于 2010 年全球 NAND Flash供给的位元产出,将比今年成长 79%,达到 10759M GB ;亦即明年全年供需缺口将由今年平衡状况转为偏紧,供需缺口约 2%。
不过,季节性因素仍会影响季度的供需缺口,预期明年上半年NAND Flash市场因淡季因素,由今年下半年的供给偏紧,转为小幅供过于求,而明年下半年可望因旺季效应,转为供给吃紧。预期未来价格的波动性将会趋缓,而以反应制程技术提升的成本下降效益为主。
 
 

 

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