需求激增全球NAND Flash明年将出现缺货

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-10-08 08:15
随着全球经济可望在2010年复苏,明年各种NAND Flash的终端应用产品的出货量也将转为成长;未来手机、SSD、记忆卡将内建更高容量NAND Flash,预估2010年全球NAND Flash将出现缺货,需求的位元产出将比今年成81%,达到10,986M GB。
明年MP3记忆卡及UFD等的NAND Flash的传统应用产品的内建容量也将会持续提高,新的应用领域也将为NAND Flash市场带来新的成长动力,例如智慧手机的出货量将持续成长,且将搭配更高的NAND Flash内建容量,而供应商也将更积极的推广SSD在各种电脑相关的应用领域。
就NAND Flash供给面而言,目前多数NAND Flash供应商多处在由亏转盈的阶段,许多供应商将以2010年市场需求的成长率,来做为明年产出成长目标参考,以使NAND Flash市场能维持在较平衡的状态,供应商目前对明年的扩产计划仍多倾向保守的态度,预期2010年NAND Flash晶圆总产出量将仅比2009年微幅增加,估计明年的资本支出仍将以制程技术升级为主。
由于多数供应商于今年第四季才逐渐增加3xnm制程技术产量,这些供应商量产2xnm制程技术的时程将落在明年下半年,另外供应商也是自第四季才正式量产3-bitcell MLC的产品,估计在经过一段推广期及产品技术改良后,出货比重才可望在明年下半年明显提高, 2010年全球NAND Flash供给的位元产出,将比今年成长79%,达到10,759 M GB。
就供需缺口的状况而言,2010年由于供应商节制产出成长,及终端应用需求回温,预估明年的NAND Flash全年供需缺口可望由今年较平衡的状况,转为偏紧,约2%的供需缺口,但季节性因素仍会影响季度的供需缺口,预期明年上半年NAND Flash市场因淡季因素,由今年下半年的供给偏紧转为的小幅供过于求,但明年下半年可望因为旺季效应,转为供给吃紧的状况,未来价格的波动性将会趋缓,而以反应制程技术提升的成本下降效益为主。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

简讯快报

更多