三星电子公司预估,明年全球记忆体供货将出现“略微”的缺货现象。
亚洲地区机顶盒(STB)OEM大厂已开始采用其MirrorBit SPI Multi-IO闪存,包括天柏宽带网络科技(上海)有限公司、深圳创维数字技术股份有限公司在内。Spansion的闪存有助制造商简化产品设计、缩减外观尺寸,并降低整体系统成本。
三星电子高管表示,2010年存储芯片将出现轻微供应短缺,但该公司的全球市场份额将保持强劲。 综合外电10月28日报道,三星电子公司(Samsung Electronics Co.)表示,全球半导体市场2010年预计将经历存储芯片轻微的供应短缺。
三星电子(Samsung Electronics Co., 005930.SE)晶片部门总裁权五铉(Kwon Oh-hyun)周三称,预计全球半导体市场明年将出现存储晶片供应略微不足的局面。
预期该公司的2009年半导体营收将达166亿美元,并于2010年攀升至255亿美元。他并预期,2010年DRAM、NAND型快闪记忆体将会呈现小幅短缺。三星电子发言人已确认了这些谈话。三星电子预定将在10月30日公布第3季(7-9月)财报。
华邦电(2344-TW) 总经理詹东义今(27)日表示,华邦电闪存(NOR Flash) 从今年第 4季起,由12吋厂90奈米制程生产比重快速提高,预估在明年 7月 1日前全数转由90奈米生产,市占率可望逐步提高,未来 1年可望快速拉近与旺宏(2337-T
未来群联将开拓经营其它产品线,从SSD着手开始,由于制造门坎与技术门坎相对高很多,群联将全力打造SSD,研发完成后可望未来能带来一年18亿元的营收,投入研发已达三年的Embedded装置,今年可以开始出货带来营收,随着内存越做越大,将专注于数据加密(Sec
群联(8299)董事长潘健成昨(27)日表示,第四季控制晶片出货量仍会成长,全年营收有机会达7亿美元,不过NAND Flash价格涨幅已大,未来1、2个月价格可能下滑,惟市场产能有限,价格不至崩盘,明年第一季在中国农历年需求带动下,市场状况“健康不悲观”。
记忆体封测大厂力成科技(6239)昨(27)日举行法说会,董事长蔡笃恭表示,为了因应客户需求及产业成长,今年资本支出将再调高至70亿元,明年有机会上看100亿元。
目前主流制程在40奈米,蔡笃恭预期2010年就会有30奈米制程产出,届时出货量会同步成长。与DRAM相比,NAND Flash市况相明朗。
看准2010年三星电子全力抢攻标准型DRAM及NAND Flash而无暇兼顾利基型记忆体,华邦电27日法说宣布大幅上修2009年资本支出,准备在2010年于利基型市场大展身手,华邦电发言人温万寿指出,2010年利基型记忆体市场仍将维持热潮。
受惠于客户端进入产业传统旺季,利基型记忆体产品的需求持续回温,也带动钰创科技、晶豪科、力积电子等相关的台系业者第3季营收明显成长,季增率皆落在15%之上。
记忆体封测厂力成科技 (6239)董事长蔡笃恭看好DRAM产品价格走势,预期Windows 7上市可望带动换机潮,将有助1Gb价格未来3、4个月维持2.5美元水准,DRAM厂应可获利。
华邦电 (2344)今天召开法人说明会,公布上季营运成果,虽然上季亏损仍逾9亿元,但在DRAM价格走扬的带动下,亏损已较前一季缩减近7成,单季每股亏损0.24元,累计今年前三季亏损约89亿元,每股亏损2.43元。
DDR2 1Gb主流颗粒现货均价续涨,今日早盘已达2.6美元,再创新高。符合业界DRAM将持续走高的预期。