力成看好明年景气预估营收可望成长10~20%

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-10-28 08:23
记忆体封测厂力成科技27日召开法说会,董事长蔡笃恭表示,DRAM和Flash市场需求不错,带动第4季产能利用率处于90~95%,并将提振第4季营收比上季微幅成长,毛利率有机会与上季持平。基于记忆体市况优于原先预期,蔡笃恭宣布2度调高资本支出至新台币70亿元。此外,由于订单能见度看到2010年第1季,蔡笃恭预期第1季营运也有机会持稳于第3季水准,不排除全年营运展望可期,初估力成2010年营收可望成长30亿~60亿元,年增幅约为10~20%。
蔡笃恭表示,随着1G容量的DDR2每颗报价达到2.5美元以上,使得各家DRAM制造厂都可以出现获利,但此荣景可以维持多久,蔡笃恭不敢断定。然而,在短期的3~6个月内,台系DRAM产能要重新开出并不太可能,而日、韩和美等厂商将专注于制程转进50奈米,资金运用谨慎,因此产能扩充获得节制。这也代表DRAM价格短期内应可持稳。
在NAND Flash方面,蔡笃恭说,NAND Flash需求强劲,以容量16G为例,价格已提升至5美元,对业者而言,4美元的报价就可以产生不错的毛利率,因此产业属相当健康。惟蔡笃恭也说,观察力成第3季营运,单季营收相当于2008年同期的高峰水准,但实际的出货量却比2008年同期成长25%,显然来自于客户要求降低成本的压力一直存在。
展望产业后市,在DRAM部分,蔡笃恭说,DRAM厂商导入40或50奈米制程对2010年发展十分重要,尤其是韩厂原本寄望以价格压力挤掉台厂,如今看来并未奏效,因而转为采取技术攻势,积极转进40和50奈米,希望能够甩掉台厂,对台厂效应如何值得观察。
至于NAND Flash,目前主流制程在40奈米,蔡笃恭预期2010年就会有30奈米制程产出,届时出货量会同步成长。与DRAM相比,NAND Flash市况相明朗。蔡笃恭认为,力成的NAND Flash封测业务2010年成长可期,目前占营收比重20%,希望2010年能够提升至25~30%。
力成第3季表现不错,蔡笃恭预期第4季封装和测试产能利用率分别为95%和90%,预期第4季营收将比第3季微幅成长。第1季即使工作天数较少,但表现可望不错,尽管比第4季衰退,幅度也不会太大,至少可回到第3季水准。如果第1季表现不俗,蔡笃恭说2010年营运展望应可期。
蔡笃恭自上次法说会将资本支出自30亿元调高到50亿元之后,由于市况优于预期,蔡笃恭在此次法说会上再度调升到70亿元,主要用于Flash和DDR3的高速测试机台。展望2010年,蔡笃恭说,力成在不必举债的情况下,以自有资金即可支应100亿元的资本支出,然而目前还没有明确的计画。以力成过去1元资本支出贡献相当于0.5~0.6元的营收推算,在维持2009年资本支出的情况下,力成2010年营收可望增加30亿~40亿元,若100亿元资本支出可以贡献60亿元营收。综合以上,力成2010年营收可望成长30亿~60亿元,年增幅约为10~20%。
 

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