华邦电(2344-TW) 总经理詹东义今(27)日表示,华邦电闪存(NOR Flash) 从今年第 4季起,由12吋厂90奈米制程生产比重快速提高,预估在明年 7月 1日前全数转由90奈米生产,市占率可望逐步提高,未来 1年可望快速拉近与旺宏(2337-TW)之间的距离。
今年初NOR Flash大厂飞索(Spasion)申请破产保护,旺宏受惠转单效益,NOR Flash 市占率持续提高,专长NOR Flash 领域的詹东义在今年 2月回任华邦电总经理后,带领华邦电将NOR Flash 由 8吋厂 130和 110奈米技术,积极转进12吋厂90奈米技术,不但领先业界,更持续降低生产成本。
詹东义表示,华邦电NOR Flash 在12吋厂90奈米制程产品,已在第 3季正式完成试产、测试到产品认证,虽然12吋送客户认证时间较预期久,加上8 吋厂货源不足,影响第 3季NOR Falsh 出货,导致业绩稍显迟滞不前,但从第 4季起,12吋厂90奈米制程比重可望快速提升。
旺宏目前NOR Flash主要制程仍是 8吋厂130与 110奈米,华邦电若在明年中,成功将 NOR Flash产能由 8吋厂转换至 12 吋厂,并全数以90奈米制程生产,詹东义极有信心的指出,华邦电的市占率将进一步提高,与旺宏的差距,会在未来 1年内快速拉近、缩小。
不过,詹东义坦承,虽然华邦电能以90奈米缩小与旺宏的差距,但旺宏在NOR Flash 产品线,包括序列式(Serial)和平行式(Parallel),仍较华邦电仅有序列式产品来得齐全,因此,华邦电明年也将致力NOR Flash产品组合的改善,产品种类会再增加。