华邦电资本支出提升7成 准备来年大战利基型记忆体市场

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-10-28 08:21
看准2010年三星电子全力抢攻标准型DRAM及NAND Flash而无暇兼顾利基型记忆体,华邦电27日法说宣布大幅上修2009年资本支出,准备在2010年于利基型市场大展身手,华邦电发言人温万寿指出,2010年利基型记忆体市场仍将维持热潮。
华邦电2009年第3季营收新台币56.94亿元,较第2季42亿元成长36%;第3季税后纯损为9.83亿元,EPS为-0.27元,亏损幅度已较第2季缩减,累计2009年前3季营收为130.25亿元,税后纯损为89.55亿元,EPS为负的2.46元。
市场人士指出,近几个月来受全球标准型DRAM及NAND Flash报价持续走扬影响,南韩三星电子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)近来对于利基型记忆体市场已较少着墨,且认为2010年全球标准型DRAM与NAND Flash景气依然看涨,对于2010年同样无心经营利基型记忆体市场,因此,华邦电抓准此千载难逢机会,将全力提升公司产能,提前为2010年利基型记忆体市场铺路。
华邦电指出,原先2009年公司资本支出为31亿元,但有鉴于未来市场需求强劲,因而上修2009年资本支出达52亿元,调高幅度高达近70%,2009年前3季资本支出已使用26亿元,依调整后资本支出计算,2009年第4季华邦电将再花费26亿元,这部分主要用扩大65奈米制程投片比重及扩充整体投片。
华邦电表示,目前公司65奈米投片量约8,000片,预估2010年第2季初将拉升至1.6万片,整体产能则由3.1万片提升为3.4万片,对华邦电而言重点不再于扩充产能,而在于扩大先进制程比重。
市场人士认为,现阶段华邦电利基型记忆体多数以0.11微米或90奈米制程投片为主,为因应庞大需求且符合成本要求,因而扩大65奈米投片比例,更希望藉由扩大65奈米投片加深与竞争对手差距。
温万寿指出,事实上到目前为止所有利基型记忆体均处供货吃紧状态,这样情况实际上自5~6月就已感受到,但多数记忆体公司仍不太愿意大张旗鼓扩充产能,原因在虽当前需求强劲,但岂能确保3~6个月后订单不瞬间缩手,与其再像2008年受伤,倒不如采保守因应。
展望第4季,公司对于总体经济环境抱持乐观看法,除继续扩大利基型记忆体在硬碟(HDD)、LCD TV、Networking和STB等应用市场市占外,Mobile RAM在新客户订单挹注下,第4季营收可望持续成长,NOR Flash方面,将善用12吋厂生产技术和成本优势拓展业绩,提升产品毛利率。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

简讯快报

更多