记忆体封测大厂力成科技(6239)昨(27)日举行法说会,董事长蔡笃恭表示,为了因应客户需求及产业成长,今年资本支出将再调高至70亿元,明年有机会上看100亿元。第四季虽然有价格压力,但预估营收仍会低于10%成长。随着大客户尔必达、东芝等新产能在明年开出,蔡笃恭认为,力成明年首季营运表现可望与第四季相若、淡季不淡。
力成昨日公布第三季财报,第三季合并营收81.03亿元,季增14%,毛利率上升至25.5%,优于第二季21.6%水准,单季税后净利15.3亿元,季增35%,每股净利达2.1元。累计前三季合并营收达212.25亿元,税后净利32.74亿元,每股净利达4.89元,稳居国内封测厂获利王。
蔡笃恭表示,第三季营运表现略优于预期,第四季虽然平均价格下跌2.5%至3%,但包括封测产能利用率已高达9成以上满载水准,且受惠于上游DRAM厂客户开始转进50奈米DDR3世代,及NAND晶片出货量续增,预期本季营收仍可望较第三季有低于10%的成长,至于毛利率的表现,则希望维持第三季的水准。
力成年中才决定将今年资本支出,由20亿元提升到50亿元,但因客户新制程产能开出后,颗粒产出量较前一世代制程大增逾6成,在产能完全不足,昨日二度调升今年资本支出至70亿元。至于明年资本支出虽然还没定案,但蔡笃恭表示,力成本身营运的现金流量,已可支撑明年100亿元资本支出规模。
蔡笃恭表示,若以过去经验评估,隔年营收增加的规模约为前一年度资本支出的60%,也就是说2010年可能会增加约40亿元的营收,但因为在新增加机器设备的同时,也有一些旧机台必须淘汰,所以2010年营收的成长情况还必须再评估。外资则预估,力成明年营收应可较今年成长至少2成,营收规模挑战350亿元,只要毛利率仍维持在现在的水准,明年很有机会再赚进一个资本额。
华邦电(2344)转入非标准型记忆体领域有成,第三季税后净损锐减至9.83亿元,赤字幅度较第二季大减64%,几乎笃定成为第三季亏损最少的DRAM厂。总经理詹东义看好第四季营运,并且调高今年度资本支出,从31亿元上修至52亿元,上修幅度高达67%,部分将用来添购GDDR的机台。
DRAM大厂相继公布第三季财报,在价格好转,或是转入非标准型产品的激励之下,各大厂第三季亏损均大幅缩减,至目前为止,以华邦电的亏损最少,第三季税后净损9.83亿元,较第二季锐减超过6成,每股净损0.27元,累计前三季税后净损为89.55亿元,每股纯损2.46元。
华邦电总经理詹东义表示,华邦电积极提升非标准型记忆体比重,目前利基型产品比重已经达40%以上,标准型产品投片则降至25%左右。行动记忆体(Mobile RAM)锁定中国市场,对于手机用多晶片封装(MCP)记忆体的需求,相较第二季淡季,第三季营收表现恢复至正常水准;快闪记忆体(NOR Flash)在市场需求的带动下,单季表现力道不弱;除此之外,公司近期也透过与德国奇梦达公司签署绘图记忆体(Graphics DRAM,GDDR)产品移转及技术授权,来拓展绘图记忆体市场新商机。
华邦电也是台湾首家调高资本支出的DRAM大厂,该公司今年度资本支出从31亿元提升至52亿元,其中一部份的资本支出就是用来采购GDDR的设备机台,预估从明年第一季开始,GDDR产品可望正式出货,并挹注华邦电的营收。
展望第四季,华邦电对总体经济环境抱持乐观看法,并将持续以宽广的产品线、优质产品品质、支援服务布局利基型记忆体市场。