USB 3.0薄型记忆卡传输速度可达每秒5.0Gb,为现有USB 2.0的10倍,在USB 3.0传输接口下,储存1部蓝光电影的传输时间,将由过去的14分钟降到只要1分钟便可以完成。

USB 3.0产品推出,包括外接式硬盘、薄型记忆卡等,预计到2010年底,USB 3.0将占各项记忆卡产品中的30%。

创见董事长束崇万相当看好2010年内存市场景气,但从DRAM上赚得钱会比NAND Flash多,主要是因为NAND Flash产业的制程演进速度太快,使得产能大幅增加,不确定性提高,DRAM市场预计2010年第1季会开始淡季不淡,第2季会是全年低点,第3、

记忆体模组厂商创见(2451)董事长束崇万表示,就整个记忆体供需市况而言,预期明年度大多数记忆体厂商均可望实现获利,其中由于DRAM厂商明年度整体新增产出仍相对有限,因此在市场需求用量持续增加、供给面相对有限下,明年度DRAM市况,应会比产能增加较多的Fl

随着记忆体产业景气回升,记忆体模组厂今年营运渐入佳境,创见(2451)前3季每股税后纯益已经达7.11元,董事长束崇万昨出席公开活动时表示,第4季获利应该有机会与第3季持平,今年冲刺一个股本的获利。

晶粒规格DDR3将在2010年迈入主流规格,探针卡厂也掀起切入竞速之战。过去连亏数季的美系龙头大厂福达电子(FormFactor)率先推出新世代DDR3探针卡解决方案,目前在DDR3市场独占鳌头。

台塑集团旗下DRAM厂南科(2408-TW)、华亚科(3474-TW)积极转进下一代制程,今年大手笔募资新台币数百亿元,近期南科完成现金增资,华亚科昨日也公布,将现金增资6.4亿股,每股发行价格暂订18元,募资总额可达115.2亿元,预计明年第1季完成。

内存业界对于2010年NAND Flash市场寄予厚望,在智能型手机应用起飞,加上没有新产能大举开出情况下,预期2010年高阶NAND Flash市场恐严重缺货,不过,低阶芯片走势则难乐观,由于2010年TLC(Triple-Level Cell)产品将逐

惟在低阶TLC芯片上,目前市场看法较为疑虑,由于TLC技术使得NAND Flash成本大幅降低,各厂也担心在此低价市场会引发杀价热潮。

全球第2大记忆体晶片制造商东芝 (Toshiba Corp.;6502-JP) 周二宣布推出新的 NAND 快闪晶片记忆体模组,容量高达 64 GB,预料可让目前智慧型手机储存量大增一倍。

DRAM厂南科(2408)现金增资新股8亿股昨上市买卖,卖压冲击股价,开盘以22.85元跳空跌停,随后打开以23.1元收盘;华亚科(3474)董事会也决议办理现金增资6.4亿股,每股定价18元。

东芝已研发出一款容量居业界之冠达64GB的嵌入式NAND Flash,该款产品将自本(12)月起开始送样,并计划于明年Q1(2010年1-3月)开始进行量产。

记忆体价格回温,第四季DRAM厂可望由亏转盈,预期明年将步入好年冬,DRAM厂联测科技率先喊涨,不过,力成(6239)、泰林(5466)认为,每家营运状况不一,目前还没有调涨价格的计划。

DRAM产业常常出现母鸡带小鸡的情况,扶植旗下的子公司DRAM厂茁壮成长,也不乏青出于蓝的例子出现,瑞晶即是一例

台湾DRAM产业暌违4年,2010年即将出现第6家上柜挂牌的DRAM新兵,尔必达(Elpida)旗下瑞晶计划在2010年申请挂牌上柜

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