NAND Flash高低阶市场

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-12-16 08:35
2010年NAND Flash市场将由MLC (Multi-Level Cell)技术转进TLC (Triple-Level Cell)技术,高阶市场主攻手机内建式内存、固态硬盘(SSD)、高速快闪记忆卡等,以MLC芯片和SLC (Single-Level Cell)芯片技术为主,而低阶市场则主攻大量化、标准型化的快闪记忆卡和随身碟等产品,以最新的TLC芯片为主,成本低但质量也较差,2010年MLC世代将转换至TLC世代,如同过去SLC世代转MLC世代。
2010年NAND Flash应用的驱动力在于智能型手机(Smartphone)、全球卫星定位系统(GPS)、随身碟、快闪记忆卡等,应用面相当多元化,因此各界看好2010年NAND Flash市场前景,加上主要供货商三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、英特尔(Intel)、美光(Micron)、东芝(Toshiba)等,都未有大量新产能扩产,因此在供给面相对受到控制。
惟在低阶TLC芯片上,目前市场看法较为疑虑,由于TLC技术使得NAND Flash成本大幅降低,各厂也担心在此低价市场会引发杀价热潮。

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