内存业界对于2010年NAND Flash市场寄予厚望,在智能型手机应用起飞,加上没有新产能大举开出情况下,预期2010年高阶NAND Flash市场恐严重缺货,不过,低阶芯片走势则难乐观,由于2010年TLC(Triple-Level Cell)产品将逐渐放量,低阶NAND Flash芯片价格恐大幅下杀出货,高低阶市场形成两极化发展。内存模块厂表示,2010年NAND Flash市场高度考验厂商调货能力,掌握NAND Flash芯片货源,便会是大赢家。
内存业者表示,智能型手机内建16GB、32GB内存风潮,恐将吃掉大部分NAND Flash产能,加上2009年NAND Flash大厂几乎都没有扩产,只依赖制程微缩增加产能,包括转进30奈米和TLC芯片,使得2010年高阶NAND Flash市场将发生供不应求情况,由于货源将优先供给一线消费性电子大厂,内存模块厂担心会在此趋势下被边缘化。
不过,相较于高阶NAND Flash市场恐严重缺货,低阶NAND Flash市场由于2010年将是「TLC元年」,包括三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)等业者纷投入TLC市场,在成本大幅降低刺激下,恐将引爆另一波跌势,在低阶记忆卡、随身碟市场杀价出货,与高阶NAND Flash市场呈现完全不同景况。
内存模块厂指出,由于高阶NAND Flash产能都被手机应用吃光,低阶NAND Flash产能又倾巢而出,加上TLC芯片不能用在手机、固态硬盘(SSD)等高阶产品,因此,2010年高低阶NAND Flash市场发展恐壁垒分明,并考验内存模块厂调货能力。
此外,由于2009年三星供货策略已开始侧重OEM大厂,模块厂需求反而被摆在其次,2010年此趋势会更明显,因此,下游厂纷开始找寻第2供货商,包括海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特尔(Intel)等,争相卡位2010年NAND Flash货源。
模块厂指出,若高阶NAND Flash芯片拿不到货,又反手被TLC芯片烫到,将是得不偿失,对模块厂而言,卖最好的产品一定是大量化的低价记忆卡等,但若低价产品变成杀戮战场,则福祸恐难预料。因此,尽管业界对于2010年NAND Flash市场持乐观看法,但由于高低阶市场走势迥异,模块厂操作难度大增,调货和库存管理能力将成为胜负关键。