日本DRAM大厂尔必达(Elpida)22日发布新闻稿宣布,已透过旗下广岛工厂开始量产采用40奈米(nm)制程的2Gb DDR3 SDRAM产品;
华邦电子(2344)与日本DRAM厂尔必达(Elpida)扩大合作,除了在70奈米及50奈米的绘图卡记忆体(GDDR)代工合作外,尔必达昨日宣布40奈米DDR3明年将技转华邦,显见华邦及尔必达间的合作范畴,已经由GDDR扩大到标准型及利基型DRAM等市场。
计算机搭载DRAM的容量日益提高,消费型计算机机种DRAM搭载将以4GB起跳,高阶机种则将以6GB为主,再加上明年下半年商业计算机换机潮,明年计算机对DRAM的平均搭载率将由2.52GB成长至2.92GB,年成长近16%,且下半年在计算机销售旺季带动下,D
内存市况走俏,韩国内存芯片大厂海力士(Hynix)昨(22)日喊出「市场供给将缺货」,着手进行扩产;日本尔必达(Elpida)、东芝也有意扩产三至四成,委外封测订单大增。
由于消费型电脑机种DRAM搭载以4GB起跳,高阶机种以6GB为主,明年下半年加上商业电脑换机潮,估计明年电脑平均搭载率成长近16%,下半年在电脑销售旺季带动下,DRAM将有可能出现大缺。
在各方看好明年DRAM产业景气之下,明年各大DRAM厂资本支出合计将大幅成长81%,总数达78.5亿美元,终结连续2年资本支出衰退窘境,但是由于持续投资的厂商聊聊可数,2010年的资本支出还不到高峰时的一半,三星半导体以25.78亿美元居全球资本支出之冠,
记忆体模组大厂远东金士顿科技亚太业务行销副总裁陈思轲看好明年DRAM市况,预期产品价格上升空间将较下跌空间大很多,NANDFlash产品价格则将震盪较大。金士顿明年NAND Flash产品营收比重,将首度超越DRAM产品。
全球最大记忆体模组制造商金士顿Kingston于21日宣布,2009年金士顿在亚太区的营收将首度突破10亿美元大关,以金士顿09年全球营收可望达到40亿美元来看,亚太区市场占金士顿约四分之一的营收贡献,地位将显著提升。
东芝(Toshiba)和海力士(Hynix)都相继宣布要投入扩产行列,业界认为2010年NAND Flash市场有智能型手机、固态硬盘(SSD)等应用撑腰,成长性无可限量,相较于DRAM应用受限于个人计算机(PC)市场,NAND Flash应用面的扩展相当
受惠于内存市场回温,市场普遍预期内存价格将往上提升,且市场需求热度将延续至2010年,几家台湾内存封测厂包括力成科技、华东科技和联测科技等预期第4季为全年营运高峰,并对2010年第1季展望并不看淡,不排除与2009年第4季持平或是小幅走弱。
为了因应智慧型手机等产品旺盛的需求,全球第2大NAND型快闪记忆体(Flash Memory)厂商东芝(Toshiba)计画自明(2010)年4月起将NAND Flash产能扩增40%;此也将为历经去(2008)年景气衰退后,首家重启增产投资的日本半导体大
由于一般的硬碟机无法应付高震动的特殊应用环境,没有磁碟、马达等分离式零件的工业级固态硬碟(SSD),就背负起严苛环境应用使命。
研华作为一个生产工业电脑的企业,对于电脑可靠性、耐用度向来非常重视。嵌入式核心服务事业部协理张家豪表示,以往开发专案时,多半搜寻现有储存设备产品。因此,市面上储存设备规格不足时,就限制应用上的可能性。
台湾19日晚间发生芮氏规模达6.8的有感地震,DRAM厂南科(2408 )、华亚科(3474)、力晶(5346)等第一时间要求厂区回报,初步了解,并无业者产线受地震影响而有重大损失。
2010年TLC(Triple-Level Cell)元年来临,对于NAND Flash产业别具意义,在成本进一步下滑后,随身碟、快闪记忆卡等产品越来越便宜,在降价冲量效应下,将驱动终端产品出货量再创高峰,消费者将是最大赢家。