TLC元年NAND竞局白热化 三星 东芝掌控产能扮要角

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-12-21 08:16
 2010年TLC(Triple-Level Cell)元年来临,对于NAND Flash产业别具意义,在成本进一步下滑后,随身碟、快闪记忆卡等产品越来越便宜,在降价冲量效应下,将驱动终端产品出货量再创高峰,消费者将是最大赢家。不过,业者一方面担心NAND Flash产业在智能型手机应用加入后,会出现供货吃紧情况,届时抢产能恐会抢不过手机大厂,但另一方面又担心TLC产能太多,恐驱动低价市场跌价速度过快,库存控管不易,因此,2010年NAND Flash大厂在MLC(Multi-Level Cell)和TLC芯片间产能调配,将成为一大考验。
内存业者指出,三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)在2009年NAND Flash市场可说是独力演出,2010年2家大厂全球市占率仍将囊括超过70%,一举一动对NAND Flash市场动见观瞻,加上TLC元年将来临,三星和东芝厮杀激烈,NAND Flash产业战况热烈,然对于TLC芯片技术,业者则是既爱又怕,尽管TLC诞生将使得NAND Flash出货量再创高峰,但若产能没掌控,恐会拖累价格下跌。
内存业者认为,由于三星和东芝目前客户群仍以OEM大厂为主,包括苹果(Apple)和众多手机客户等,对于MLC芯片需求仍大,TLC芯片暂时还进不了OEM客户,因此,2010年产能配置仍将以MLC芯片为主。但新帝(SanDisk)等业者由于主要客户群是终端消费者,诉求是价格越便宜越好,因此,转进TLC芯片比重会提高。不过,内存大厂在产能配置上,仍会有所区别,以利价格稳定和健康发展。
此外,相较于东芝和三星对于TLC芯片态度积极,英特尔(Intel)和美光(Micron)对于TLC芯片则持不同看法,由于IM Flash阵营本身在30奈米制程领先,成本已相当有竞争力,因此,对于是否将资源投入TLC芯片,较没有急迫性。
三星和东芝2010年竞局除TLC技术外,亦将蔓延至30奈米制程世代,三星要转进35奈米MLC技术和32奈米TLC技术,东芝则将转进32奈米制程,加上2者市占率逐渐拉近,2010年三星和东芝间竞局将愈益白热化。

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