日本DRAM大厂尔必达(Elpida)22日发布新闻稿宣布,已透过旗下广岛工厂开始量产采用40奈米(nm)制程的2Gb DDR3 SDRAM产品;尔必达表示,该款40nm DDR3产品于今(2009)年10月完成研发工作之后,仅历时2个月时间就成功导入量产阶段。
新闻稿指出,尔必达将依序扩大该款40nm DDR3产品于广岛工厂的投片量,且预计于明年Q2(2010年4-6月)也将透过和台湾力晶(5346)合资设立的子公司“瑞晶电子”生产该款产品,以藉由增加40nm产线比重来删减成本。新闻稿并指出,尔必达今后也将视DRAM市况,也考虑将该40nm制程技术提供给制造伙伴茂德(5387)和华邦电(2344)。
尔必达曾于今年10月时宣布,将评估今后整体DRAM市况,不排除将40nm制程产线比重提高至50%的程度。
据新闻稿,该款40nm DDR3产品藉由缩小晶片尺寸,故和尔必达现行50nm DDR3 SDRAM产品相比,每片晶圆所能取得的晶片数增加了44%、消耗电流仅需50nm产品的23、耗电量则约可删减一半。
尔必达竞争对手三星电子曾于7月21日发布新闻稿宣布,已开始量产业界首见采用40nm制程技术的2GB DDR3 DRAM。据日经新闻报导指出,尔必达所将量产的40nm产品较三星电子同等级产品相比,每片晶圆可取得的晶片数多出5-10%。