根据Global Semiconductor Alliance(GSA)发布的报告,全球半导体业者在2009年度惨淡经营 ;时序进入2010年度,产业前景亮丽许多,分析家也预期下半年DRAM领域将呈现有利氛围。
快闪记忆卡大厂新帝(SanDisk)过去一度衰神缠身,本业亏损之外,专利侵权官司战术也连连破瓦解,2009年新帝大幅转变营运策略,开始复制三星电子(Samsung Electronics)策略供应
芯片龙头英特尔(Intel)的NAND闪存事业群新主管透露,该公司立志成为固态储存(SSD)领域的一哥,但令人惊讶的是,他们没兴趣在NAND市场称王。
科技研调机构IC Insights Inc.的预期,2010年度IC产品领域整体成长率将达15%,在成长产品类别连续4年减少之后,2010年开始的3年可望扭转这项趋势。
韩国时报(The Korea Times)7日报导,南韩记忆体大厂Hynix Semiconductor执行长金钟甲(Kim Jong-kap)指出,该公司有点担心DRAM供给过剩的现象,而NAND型快闪记忆体需求则仍然颇佳。
虽然记忆体业者看好今年DRAM及NAND市场景气,但是今年以来DRAM价格上涨,导致OEM/ODM电脑厂商开始降低搭载率至2GB,NAND则因进入传统淡季,市场销售明显降温,但是DRAM及NAND供应商仍持续拉高产能出货
跌价惨烈的DDR2可望近期出现曙光,下游业者表示,之前受到内存模块大厂调节库存的影响,DDR2价格几乎被一路卖下来,濒临跌破2美元关卡,近日大厂杀价的动作已逐渐停止,加上国际DRAM大厂日前开始减少DDR2供货量,都让DDR2价格止跌回稳的迹象露出曙光。
欧洲债信危机,美国失业率攀高,引发欧美股市重挫,欧美经济罩上乌云,使最受市场需求牵动营运的DRAM股今(5)日齐步重挫,茂德(5387-TW)开盘就见跌停,南科(2408-TW)、华亚科(3474-TW)盘中一度杀黑躺平。
全球记忆体封测大厂力成科技4日召开法说会,董事长蔡笃恭表示,受惠于全球经济复苏及消费者信心逐渐回温,刺激DRAM、NAND Flash需求增温,2010年第1季将成为「有史以来最好的第1季
旺宏(2337)编码型闪存(NOR Flash)出货大增,去年第四季市占率较年初大增逾一倍至13%,不仅是台厂中最佳,与韩国三星差距缩小至1个百分点内,离全球前三大厂仅一步之遥。
NAND Flash控制晶片业者慧荣2009年第4季因认列员工认股价差损失,加上认列南韩代理商破产所衍生的注销费用,第4季Non-GAAP税后亏损777万美元,每单位稀释之美国存托凭证亏损0.28美元。
市调机构IC Insights 公布2010 年最具两位数成长潜力的IC 晶片产品中,看好DRAM 、 32-Bit MCU 及Flash Memory 将会成为大赢家,并预期手持式装置、车用电子及PC 产业的景气回升,将会扭转过去4 年来大部份IC 产业
欧盟对三星电子等全球近10家记忆体大厂展开反倾销调查,四名熟悉内情人士向路透路透露,最快本周或是下周,欧盟就会正式宣布调查此案。
USB 3.0盛世来临,华硕推出内建USB 3.0界面的笔记本电脑(NB),内存模块厂威刚也极力表态支持,推出SATAII和USB3.0双接口的固态硬盘(SSD)和行动硬盘。
根据iSuppli发布的报告,去(2009)年对于记忆体产业而言,应是一个颇为特殊的年度;虽然产业表现并不理想,但也不如原先预期那般恶劣。NAND快闪记忆体市场在下半年呈现复苏的态势,一改2008年度第四季与2009年度第一季之惨淡景况。