Hynix执行长:有点担心DRAM供给过剩的现象

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-02-08 13:15
韩国时报(The Korea Times)7日报导,南韩记忆体大厂Hynix Semiconductor执行长金钟甲(Kim Jong-kap)指出,该公司有点担心DRAM供给过剩的现象,而NAND型快闪记忆体需求则仍然颇佳。他并表示,记忆体需求将稳定攀升,主要由行动产品带动。
上月DRAM价格回档修正,尤其DDR2回测2美元,短线跌幅近2成。本月第一周DRAM现货价格回稳,DDR2品牌颗粒回到2.2美元以上,出现回稳的迹象。但研究人员认为,短期因淡季需求减缓,价格仍将整理,预期本月上旬DDR2合约价将调降。
Hynix对产业的展望与三星电子不大相同。三星记忆体部门总裁权五铉(Kwon Oh-Hyun)上周曾表示,整体记忆体产业展望仍然良好,预期至年底为止产业都将延续目前的稳健市况,即便有部分供给过剩的疑虑。
根据报导,分析师与部分三星内部人士认为,全球半导体业可能会在今(2010)年下半年面临供给过剩窘境,主因半导体业者采取扩充产能的行动。
Prudential Investment分析师Park Hyun认为,记忆体市况短期内将面临需求减缓的情形,进而导致价格走低;不过,三星、Hynix将因先进的半导体制程技术而保持优势。三星一名发言人表示,该公司计画在近期内推出采用27奈米制程技术的快闪记忆体。此外,Hynix也计画发表采取26奈米制程技术的快闪记忆体。
三星曾于1月29日重申2010年半导体部门资本支出将攀升至5.5兆韩圜(年增37.5%)之上,并计画持续转换至30奈米制程技术。三星当时预期今年半导体部门合并营收将可望成长10-20%,主要是拜PC销售攀高之赐。此外,System LSI部门营收则可望年增约10%,主要是由智慧型手机、液晶电视所带动。

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