记忆体库存拉高 短期恐调降

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-02-08 09:08
虽然记忆体业者看好今年DRAM及NAND市场景气,但是今年以来DRAM价格上涨,导致OEM/ODM电脑厂商开始降低搭载率至2GB,NAND则因进入传统淡季,市场销售明显降温,但是DRAM及NAND供应商仍持续拉高产能出货,所以现在包括封测厂、模组厂、通路商等生产链中下游,库存水位已明显拉高,业者预估生产链短期将面临库存及订单调整压力,季底前价格应该没有上涨空间。
去年下半年OEM/ODM电脑厂商的出货量拉高,带动DRAM需求同步放大,价格也一路上涨,1Gb DDR2/DDR3现货价都一度涨上3美元。对电脑厂商来说,去年中旬因DRAM价格低,每系统搭载率一度拉高至3GB及4GB,但今年以来电脑平均售价已降至700美元至800美元,4GB DDR2/DDR3模组价格接近90美元,占电脑成本超过1成,所以OEM/ODM厂在2月中国农历春节销售旺季中,已将DRAM搭载率降至2GB。
去年底欧美圣诞节销售旺季成绩不差,晶片实际销售(sell through)让市场库存水位维持低档,但DRAM厂去年第4季几乎是全线全产能量产,今年1月中旬后,新增产能已开始释出至市场,但却遇到了OEM/ODM厂调降搭载率的压力。也因此,DRAM厂现在不仅拉高在封测厂的晶圆存货(wafer bank),也开始要求通路商及模组厂提高库存水位。
在NAND市场上,同样也面临库存水位上升压力。去年11月时,市场传出苹果将推出搭载固态硬碟(SSD)的iPad平板电脑,今年第1季恐吃下NAND厂产能,所以在预期心理下,中国市场去年12月已备好今年农历春节所需库存。但今年以来,苹果公司对NAND晶片拉货量不如预期,而包括三星、东芝、海力士等,去年第4季新增投片,也在现在开出并释出至市场,所以封测厂、通路商、模组厂等,同样面临存货上升的压力。
去年第4季初,通路及模组端的库存水位低于4周,但现在存货水位已拉升到接近7周,若中国农历年假期需求不旺,3月后库存将达8周的库存过高警戒区间,加上3月又是日系业者会计年度结算期,向生产链中下游塞货问题将更为严重。也因此,记忆体生产链在农历年后将面临库存及订单调整压力,季底前价格应该没有上涨空间。

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