慧荣:强化与NAND Flash大厂合作SSD可望卷土重来

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-02-04 16:56
NAND Flash控制晶片业者慧荣2009年第4季因认列员工认股价差损失,加上认列南韩代理商破产所衍生的注销费用,第4季Non-GAAP税后亏损777万美元,每单位稀释之美国存托凭证亏损0.28美元。总经理苟嘉章表示,2009年NAND Flash晶片缺货,导致控制晶片需求锐减,慧荣2010年会强化与NAND Flash大厂的合作,并且布局固态硬碟(SSD)等内嵌式记忆体的应用,期望营运转亏为盈。
慧荣2009年第4季营收约2,300万美元,不含酬劳费用(员工认股权证)和提列存货呆废料损失准备毛利率为52.1%,第4季Non-GAAP税后亏损777万美元,每单位稀释之美国存托凭证亏损0.28美元。
在出货量方面,2009年第4季出货量约7,000万颗,较上1季增加5%,其中快闪记忆卡和随身碟占90%,以应用类别区分,行动储存产品出货量较前1季成长8%。值得一提的是在SSD控制晶片上,出货量较上1季成长逾35%,较去年同期成长逾50%,占公司总营收10%。
苟嘉章指出,SSD市场受限NAND Flash价格太贵等因素,在低价电脑应用上,几乎不是传统硬碟的对手,但2010年开始,已见到一些入门款的笔记型电脑(NB)又回头开始采用SSD,预计下半年SSD市场可见到曙光。
苟嘉章也强调,30奈米世代的NAND Flash技术对于SSD成本下滑驱动力还不够,预计20奈米会是适合SSD发展的技术,2010年下半每1家NAND Flash大厂都会进入20奈米制程,量产MLC(Multi-Level Cell)晶片届时可望驱动SSD成本进一步下滑。
整体来看,苟嘉章相当看好SSD这类的内嵌式记忆体未来的成长性,预计占整个NAND Flash应用比重将超过快闪记忆卡。
3-bit-per-cell晶片上,慧荣在第4季开始出货,占记忆卡控制晶片营收比重约10%以上。苟嘉章表示,等到三星电子(Samsung Electronics)的3-bit-per-cell大量出货,预计控制晶片的需求度也将提高。
慧荣2009年第4季认列员工认股价差损失,以及受到南韩代理商破产影响,认列相关费用损失,加上2009年NAND Flash晶片严重短缺,对于控制晶片业者是很艰辛的1年。苟嘉章期勉,在营运组织重新调整后,2010年表现绝对优于2009年,未来在营运上会更强化与NAND Flash大厂之间的合作。
慧荣预估2010年第1季营收成长率介于-5~5%间,Non-GAAP毛利率预估46~48%。 Non-GAAP营业费用预估1,300万~1,400万美元。
 
 

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