力晶受惠于现货价格维持高档震荡,及重获瑞晶(4932)产能挹注,法人估计,力晶本业及一次认列瑞晶36%业外获利,单季获利将上看100亿元,成为上半年获利最突出的DRAM厂。

DDR3今年已经完全取代DDR2,本土DRAM厂配合市场趋势也陆续转进生产DDR3,而在容量规格上面,下半年也将会看到DDR3 2Gb产品将上市,其中南科(2408)就表示,8月份开始,12吋厂将会全部投入DDR3 2Gb。

分析师报告指出,铜制程不利封装业者中长期营收的成长,明后年将看到年增率放缓至个位数;相对于IC逻辑封装,从事记忆体封装的力成(6239-TW)较有成长空间,为封装类股的首选。

内存产出持续增加,有利于后段封测厂的接单,封测厂不仅陆续调高资本支出,也普遍看好下半年的营运。其中力成科技下半年订单能见度十分明朗,营运可望呈现逐季走扬势。

内存模块产业日前出现大震撼,正崴透过私募方式全面入主劲永,持股比重逼近16%,让外界对于未来劲永的经营权有诸多联想。

这几年随身碟市场已相当成熟,除了记忆体容量上的提升外,资讯安全部分最受到消费者重视,尤其是在企业用户端,因此模组厂和记忆卡厂也开始大量与资讯安全业者合作,利用软体技术提升随身碟的加密性和资讯安全。

明年最具成本优势的厂商,今年本业获利率(Operating Margin)将上看36%,明年则估达26%,而成本优势落后的厂商,预估下半年转盈,明年本业获利率在10%附近。

尽管6月下旬DRAM合约价续滑,2GB DDR3模块仍维持在45美元,但近期传出韩厂因46奈米制程量产顺利,开始大砍合约价,以超低优惠价40美元出货给特定几家PC大厂,恐成为7、8月DRAM合约价续跌杀手。

本月下半月DRAM合约价出炉,持续小跌。DDR2 1Gb颗粒均价在2.38美元,下滑1.24%,DDR3 1Gb颗粒均价在2.63美元,下滑2.23%。

补助台湾创新内存(TIMC)与茂德、晶豪、翔准先进联合所申请「闪存双子星技术研发计划」,等同宣告由宣明智所领军TIMC在DRAM产业铩羽后,再度从NAND Flash产业复活。

台湾创新内存公司(TIMC)在争取国发基金投资出师不利后,决定转进NAND Flash技术,经济部长施颜祥正式核定TIMC可获政府最高40%的研发补助。

NAND Flash是茂德长久以来营运蓝图规划中的一块,无奈2008年金融海啸袭来,全球DRAM产业不支倒地,茂德差一点面临淘汰出局的命运,最后幸运存活下来。

市场预估,过去1年来DRAM价格将首度在2010年6月出现下滑,价格下滑的原因是DRAM产量持续增加,和PC厂商力抗价格上扬策略已成功。

美国内存芯片大厂美光(Micron)上季财报耀眼,台厂脚步也不落人后,力晶(5346)、南科(2408)、华亚科(3474)、茂德(5387)都认为,本季营运将比首季更好,下半年传统旺季效益挹注下,营运更添助力。

TIMC又有新动作,与茂德、翔准先进光罩及晶豪科等合作,共同投入NAND Flash双子星技术开发。南科对此表示,对DRAM业没有影响。旺宏则指出,欢迎竞争。

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