TIMC复活 台厂兵分三路攻NAND Flash

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-06-30 08:48
经济部技术处29日宣布,补助台湾创新内存(TIMC)与茂德、晶豪、翔准先进联合所申请「闪存双子星技术研发计划」,等同宣告由宣明智所领军TIMC在DRAM产业铩羽后,再度从NAND Flash产业复活。内存业者透露,近期TIMC悄悄引进美商IC设计公司NanoSTAR的NAND Flash技术及专利,成为这次大复活关键,未来台系内存业者将兵分三路抢攻NAND Flash市场。
经济部29日宣布,在「业界科专计划指导会议」中通过4项业界开发产业技术计划,包括TIMC所主导「闪存双子星技术研发计划」,引发内存业界震撼,因为3月初经济部和日系DRAM大厂尔必达(Elpida)都宣布不再注资TIMC,恐迫使TIMC就此走入历史,然内存业者透露,TIMC无法从DRAM产业切入,遂展开第2方案,将目标锁定NAND Flash,刚好与IC设计公司NanoSTAR搭上线,双方展开合作,藉由NanoSTAR现有NAND Flash技术和专利,重新为TIMC赋予新生命。
内存业者表示,现在要切入NAND Flash产业最重要环节,并不只是技术,最重要的是如何避开专利问题,要与现存NAND Flash产业4大阵营三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)、美光(Micron)与英特尔(Intel)、海力士(Hynix)做出区隔,避免未来产品进入量产后,却陷入这些NAND Flash大厂所设下专利地雷。
由于NanoSTAR旗下拥有NAND Flash技术和专利,但并未进入量产阶段,这次由TIMC所主导「闪存双子星技术研发计划」,结合NanoSTAR技术和专利,交由晶豪作设计,翔准先进负责光罩部分,最后由茂德负责制程规划和量产。至于TIMC则扮演主导及协调角色,并承诺经济部于10月底前完成技术规格开发,在产品功能和稳定度达到一定标准,以通过经济部的要求规范。
经济部对于「闪存双子星技术研发计划」补助金额,最高可达整个计划总金额40%,核准签约时会先部分拨款,之后再分期拨款,目的是希望未来台湾可拥有NAND Flash自主技术能力,达到内存产业技术生根目标。
事实上,过去台系内存厂将大部分资源放在DRAM产品,但经历上一波DRAM产业大崩盘洗礼后,开始展开多元化布局,包括利基型内存SDRAM、NOR Flash、NAND Flash、Mobile RAM、绘图卡内存(GDDR)等,而过去被台厂视为遥不可及梦想的NAND Flash领域,力晶与旺宏日前已率先大动作宣布投入,掌握NAND Flash产业下一次崛起商机。
其中,力晶投入NAND Flash产业已有多年,2010年开始积极动起来,其采用瑞萨(Renesas)技术,目前采用70奈米制程生产,预计2010年下半转进40奈米制程,切入16Gb高容量产品。另外,力晶过去曾以TFC(Taiwan Flash Company)名义,向经济部申请产业再造补助,以NAND Flash产品作为产业再造架构,后来因为整个台湾内存产业再造计划停摆,加上力晶2009年本业DRAM产品已开始赚钱,TFC计划便无疾而终。
至于NOR Flash大厂旺宏切入NAND Flash计划2010年亦逐渐浮上台面,其积极投入BE-SONOS技术,研发新一代3D NAND Flash解决方案,预计未来NAND Flash技术走到10奈米后,现有Floating Gate技术架构将遇到瓶颈,届时BE-SONOS技术可望取而代之。
整体而言,台系内存厂现在是兵分三路抢攻NAND Flash产业,继旺宏、力晶表明布局决心后,这次TIMC连手茂德、晶豪,更挟经济部补助光环,成为台湾第3支NAND Flash先锋部队,未来台厂要如何避开三星、东芝等大厂势力,以及专利权威胁,还需要时间观察。

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