DRAM明年可续获利

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-07-01 08:30
由于2012年之前供需稳定,预估,2011年DRAM厂将持续获利,虽然明年DRAM的ASP将下跌30%,但是随着各家大厂制程转进、成本下降,预测,明年最具成本优势的厂商,今年本业获利率(Operating Margin)将上看36%,明年则估达26%,而成本优势落后的厂商,预估下半年转盈,明年本业获利率在10%附近。
下半年DRAM产业制程加速4x(40-49)奈米转进,产出增加将带动价格下跌,然而价格下跌将刺激 DRAM搭载量趋势往4GB以上,预估DRAM均价于今年第4季向下修正。关于明年度DRAM价格走势,预测明年DRAM均价将较今年下跌约30%,但是全球DRAM业者积极提升制程,降低成本,以台湾业者来说,在转进4xnm之后,成本至少可以较目前降低50%以上,使面临均价下跌,还是可望呈现获利表现。
面对三星扩大资本支出,产能增加及技术转进,其他DRAM厂也积极强化其竞争力。策略规划与未来发展的方向分析方面,海力士将2010年资本支出调高近1/3达26亿美元,加速44nm制程及NAND Flash 3xnm之技术转进。美光阵营方面,在50nm转进同时,加速42nm制程研发。预计于Q3 10年开始投片量产,南科(2408)与华亚科(3474)今年则计画二度调高资本支出,加速浸润式机台采购进度与美光同步42nm制程技转。
尔必达阵营则今年提升在广岛厂行动记忆体投片比重,将标准型DRAM生产重心移往台湾瑞晶(4932),目前瑞晶已正式量产63nm制程,42nm制程预计7月正式投片。力晶(5346)则规划加强代工与NAND Flash的比例,未来朝标准型DRAM、代工业务与NAND Flash三大事业体多元化发展。
三星今年也将在System LSI业务方面投资约2兆韩元(17亿美元),以因应手机与数位电视等产品对系统级晶片(SoC)的强劲需求,同时强化晶圆代工业务。
三星今年大幅提升其资本支出,使三星占整体DRAM产业资本支出比例由往年约25%大幅提升至41%,主要加重研发及厂房设备投资,全部台系DRAM厂资本支出今年约占整体产业34%。今年第1季三星DRAM方面的营收约30亿美元,市占率达32%,在资本支出增加、产能扩充及技术转进下,预估三星DRAM营收市占率在今年下半年将突破35%,2011年将突破40%。
三星于5月中旬宣布今年记忆体事业群将投资金额由原先的5.5兆韩元(约48亿美元),加码到9兆韩元(约78亿美元),并将兴建20万片的12寸晶圆厂Line 16、17,生产DRAM与NAND Flash,投片计划则视当时市场而定。估计厂房、无尘室兴建及设备移入时间约需一年,最快明年第三季可投片生产,产出则在明年第四季,今年下半年将扩充现有Line-15的产能并开始转进35奈米DDR3。
预估,三星今年第4季将增加46奈米以及56奈米投片至90%,2011年的Fab16将转进35奈米,虽该市调机构并没点名三星是最具成本优势的厂商,但是预测最有成本优势的厂商,今年本业获利率将达36%,明年也有26%水平。
华邦(2344)则决定淡出标准型DRAM,业务发展优先顺序依次为NOR Flash、绘图记忆体、行动记忆体,同时在取得奇梦达46nm技术,自行再研发生产46nm。茂德(5387)则是出售新竹二厂,集中资源于中科厂,积极导入尔必达63nm制程技术。
今年DRAM产业供需健康,由于去年比较基期较低,因此预估今年产值将成长58%,其中有两大关键变量将会导致DRAM供应吃紧,一是浸润式机台在今年Q1出现严重的迟交状况,预估此情形将会延续至Q2甚至下半年。
明年DRAM均价将较今年下跌约30%,然而随着制程转进、成本下降,DRAM厂营业利益率(OP Margin)成本优势最佳者,今年营业利益率平均为36%,明年平均为26%;而成本优势落后者,今年下半年仍可顺利转亏为盈,明年营业利益率约可维持在10%上下,可望维持获利局面。

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