东芝(Toshiba Corporation)14日宣布,位于日本三重县四日市的NAND型快闪记忆体(Flash Memory)新厂「Fab 5」已开始动工兴建,预计2011年春季即可完成第一阶段工程。

随着人们对数据需求增多,存储系统的瓶颈越来越明显。而在嵌入式领域移动设备和工业自动化控制等恶劣环境下,传统硬盘机械结构已经无法满足要求,而所有这一切随着固态存储(SSD)的到来改变。

由于市场需求超过分析师预期,DRAM及NAND Flash现货价格将有提振机会。以1GB DRAM DDR3及16GB NAND Flash作为基准来看,近1周价格双双上涨3%及1%。

2010年内存市场最夯产品非NOR Flash莫属,从年初开始供货吃紧且价格一路飞涨,尽管各家NOR Flash厂对于第3季价格都是持续看涨,但产业供需结构却是暗潮汹涌。

各大DRAM厂2010年都面临严峻的制程转换考验,三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)转 进40奈米世代,技术门坎相较于之前的50和70奈米高出许多。

2010年NOR Flash产业变动相当大,旧霸主飞索(Spansion)被破产保护禁锢令缠身1年后,虽然正式解禁,但重回NOR Flash市场后已人事全非。

Nand Flash市场作出下半年供应吃紧预估,不但带动新帝、慧荣在美股股价表现,亦推动台湾Nand Flash IC设计群联(8299)股价顺利突破2百元关卡。

力晶(5346)公布今(2010)年资本支出达120亿元,而南科(2408)、华亚科(3474)因为42奈米制程提前,可能提前挪用2011年资本支出额度,加上利基型DRAM大厂华邦电(2344)已经上修今年度资本支出。

内存模块产业缺乏杀手级应用,固态硬盘(SSD)又不成气候,因此业界对于USB 3.0商机抱以相当大的寄望,2010年已陆续推出相关产品试水温,切入点多以行动硬盘为主,例如创见推出的2.5吋抗震行动硬盘已获得USB应用厂商论坛(USB IF)授权取得USB

目前各家DRAM厂在40和50奈米世代转换不顺消息频传,新产能是否能如期出笼仍存变量,因此,第3季DRAM价格还有多少修正空间,目前仍处于混沌状态。

7月下旬动态随机存取记忆体(DRAM)合约价下跌,法人认为,DRAM价格小跌符合预期,预料华亚科(3474) 与南科(2408) 可受惠于制程转换带来的获利成长。

NOR Flash代理商倍微6月合并营收几乎与上月持平,日前也宣布与 Microchip正式签约,获得台湾、大陆、东南亚等地区的独家许可协议,9月开始推出自有品牌的NOR Flash产品。

DRAM厂力晶(5346)上半年获利逾百亿元,成为上半年最赚钱的DRAM公司,董事长黄崇仁在记者会上慷慨激昂,除了证明靠自己也可以度过难关外,对于政府及同业这一年来对DRAM业的存活见解,很显然地颇不以为然。

受到大多数PC厂商对DDR3内存所持谨慎态度影响,DDR3内存价格将在下半个月继续下滑。随着市场地位不保,DDR2内存价格下滑幅度更是进一步加大。

对于下半年NOR Flash景气,傅江松指出,公司应用产品多集中于PC和网通类,2010年上半年基期相当高,估计上下半年约5比5,第3季的NOR Flash产业仍是供货吃紧,价格往下机率不大,至少会维持持平水平。

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