各大DRAM厂2010年都面临严峻的制程转换考验,三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)转 进40奈米世代,技术门坎相较于之前的50和70奈米高出许多。
南亚 科和华亚科除了要从70奈米转进50奈米制程外,还要将沟槽式(Trench)转进堆栈式(Stack),又是另一大工程,2010 年第3季即将大量转进50奈米制程,同时下半年也准备转进42奈米制程。
预计42奈米制程的成本会比50奈米再降低约30%,而南亚科与策略联盟伙伴美光(Micron)也共同研发3X奈米制程。
尔 必达(Elpida)阵营包括力晶和瑞晶等,2010年已跳过50奈米制程,先从65奈米制程转进微缩版的63奈米制程,再 进一步大量直接跳到45奈米制程,市场预期技术难度相当高,因为也要开始导入浸润式曝光机台(Immersion Scanner)。