东芝新帝NAND Flash新厂动工 将采20奈米制程

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-07-14 13:21
东芝(Toshiba Corporation)14日宣布,位于日本三重县四日市的NAND型快闪记忆体(Flash Memory)新厂「Fab 5」已开始动工兴建,预计2011年春季即可完成第一阶段工程。东芝、SanDisk Corporation并于14日宣布双方将针对Fab 5的运作成立一家新的合资企业。
占地面积约38,000平方公尺的Fab 5采用防震设计,广泛采用LED照明以及尖端节能生产设备预期可使其二氧化碳排放量较Fab 4减少12%。 Fab 5初期计划采用尖端20奈米制程,东芝、SanDisk将可依据各自需求弹性决定所属产能的扩产时点。
东芝、SanDisk预期Fab 5开始量产时Fab 4产能将达满载;Fab 5第二阶段工程完工后规模将与Fab 4相当。四日市目前共有4座NAND Flash厂,总员工人数达到4,300人。
东芝表示,兴建新厂是基于看好固态硬碟(SSD)、智慧型手机等新兴应用产品对NAND Flash的需求。
东芝公司高管表示,该公司正推出新的闪存芯片生产设施满足未来需求,预计4月完成建设,但何时开始运营将取决于闪存芯片市场的供需环境,该公司在建的日本中部工厂新的闪存芯片生产设施最早将在2011年夏季开始运营。
据报道,东芝公司(Toshiba Corp.)负责半导体运营的高管14日表示,东芝公司负责半导体业务的高级副总裁Kiyoshi Kobayashi表示,该公司未来三年5,000亿日圆的投资中很大部分将花费在这个新设施上。但他拒绝披露新设施准确的投资金额,以及产能。

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