2010年下半内存芯片价格将上涨,原因是供应 吃紧,刺激需求力道,价格因而出现上扬。
由于市场需求超过分析师预期,DRAM及NAND Flash现货价格将有提振机会。以1GB DRAM DDR3及16GB NAND Flash作为基准来看,近1周价格双双上涨3%及1%。
智能型手机 (Smartphone)出货的持续扩张,也让NAND Flash需求增加。DRAM价格则因供货短缺,可望在2010年第3季出 现上扬。
非南韩内存厂,如华亚(Inotera)、美光(Micron) 及尔必达(Elpida)等可能在大环境考虑下减产,进而导致DRAM供应短缺。
大环境考虑,诸如美国GDP成长率预期下砍、台湾个人计算机(PC)产业复原力道未若预期,及欧元走低等,确 实带来影响。不过美光对下半年内存芯片需求仍乐观看待。
此外,内存设备厂及 PC厂投资额明显偏低,让DRAM现货价在库存重补刺激下可望提升。
分析师表示,即使是最低预估,2010年第3季DRAM需求仍可望成长10%,第4季再成长20%。甚至,DRAM短缺也将连带刺激 NAND Flash价格,因为韩厂三星电子(Samung Electronics)! 及海力士(Hynix)将把NAND Flash产线移作生产DRAM,以便满足DRAM需求,NAND Flash产能减少,抑制产能过量。
个人电脑(PC)需求强劲与动态随机存取记忆体(DRAM)价格上扬,无疑为驱动2010年半导体产值攀升的最大引擎,再加上手机与通讯两大热门应用挹注可观的营收贡献,以及仅次于DRAM成长率的类比元件与发光二极体(LED)所引爆的庞大商机,预估,2010年半导体产值上看2,900亿美元,年成长率高达27.1%。