力成计划以金士顿(Kingston)转投资的深圳厂沛顿作为扩充主力,初步估计到年底月产能将增加到6,500万颗,同时资本支出计画也倾向于新台币120亿元上限。

NEC酝酿二部曲反击,1、2代USB 3.0晶片确定会在2010年第4季大幅降价,2011年首季再推出第3代杀手级晶片,报价一次到位降至2美元以下,恐使得USB 3.0晶片战场甫开打便已快速走进红海。

海力士第2季本业表现突出,主要是因为第2季DRAM和NAND Flash晶片出货量都大增,其中NAND Flash虽然面临价格下跌的状况,但出货量大幅成长也弥补了价格的下跌损失。

三星电子宣布已量产30奈米制程的DRAM产品,较其他竞争企业至少提早了6个月~1年半的时间。三星5月时发表投资计划,表示将投入11兆韩元发展半导体领域,在量产次世代产品上也将加速拉大与竞争公司的差距。

全球内存芯片二哥海力士(Hynix)昨(22)日公布第二季获利创历史新高,但预期本季DRAM与储存型闪存(NAND Flash)仍有跌价压力,其中NAND Flash跌幅更可能达13%至19%。

尔必达将运用其位于日本广岛晶圆厂的12吋(300公厘)尖端制程技术,生产高阶的NAND 新产品,双方各自进行客户行销。至于NAND 产品的联合研发与技术移转活动,也将会在日本尔必达广岛晶圆厂进行。

摩根大通点出台湾DRAM产业50奈米进度缓慢、下半年需求不确定因素增加、第4季价格压力加重三大问题,重申保守看待态度,美林也认为50奈米技术良率仍低,将影响今年2家业者获利表现,重申南科、华亚科表现劣于大盘。

NOR型快闪记忆体(Flash)大厂飞索半导体(Spansion Inc.)21日于美国股市收盘后宣布,该公司与尔必达(Elpida Memory, Inc.)决定扩大现有NAND制程技术与产品的开发合作范围。

联电九十五年间大举买入茂德股票,却不料DRAM盛极而衰,也让联电认列数十亿元的损失,成为茂德的大股东之一。经济部日前通过TIMC与茂德、翔准先进光罩及晶豪科等公司合作,共同投入NAND Flash双子星技术开发,让台湾创新记忆体公司TIMC败部复活。

台塑集团旗下DRAM厂南亚科和华亚科在50奈米制程转换吃足苦头,第2季仍处于亏损状态,近期决定全面加速转进42奈米,南亚科42奈米制程更将抢先在2010年第4季进入量产,全力转亏为盈。

台塑集团DRAM布局火力全开,旗下南科(2408)、华亚科(3474)为加快42奈米布局,皆二度调高今年资本支出至少一成。

南科(2408)副总经理白培霖昨(21)日表示,目前DRAM价格仍偏高,系统厂要求降价压力大,预期到年底前,DRAM价格将呈现缓跌走势,但随着价格修正,也将带动下半年DRAM市场需求回温。

全球半导体产业走入50奈米制程后,浸润式曝光机台(Immersion Scanner)出现大缺货,尤其是最新款的NXT:1950i机种上,交期几乎拉到快12个月,使得2010年才下订单的台系DRAM厂苦等多时;

2010年5月硬碟大厂希捷(Seagate)推出结合传统硬碟(HDD)及快闪记忆体(NAND Flash)的混合式硬碟(Hybrid HDD)「Momentus XT」;

7月上旬DRAM合约价下滑2~3%,符合市场预期,预期下半月还是维持持平到2、3%的降幅,主要是个人景气走缓,电脑厂因库存提高采购数量下修,下一阶段要看月底开始的开学潮铺货力道是否够强。

简讯快报

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