三星电子(Samsung Electronics)宣布已量产30奈米制程的DRAM产品,较其他竞争企业至少提早了6个月~1年半的时间。三星5月时发表投资计划,表示将投入11兆韩元发展半导体领域,在量产次世代产品上也将加速拉大与竞争公司的差距。
2009年7月首度量产46奈米制程DDR3 DRAM后仅1年,三星又即将于7月内开始量产35奈米制程2Gb DDR3 DRAM。 35奈米DRAM每片晶圆的生产量较40奈米制程产品高60%,且约为50~60奈米DRAM产品的2倍以上,因此更具价格竞争力。竞争业者海力士(Hynix)以2011年量产30奈米制程产品为目标,而美光(Micron)和尔必达(Elpida)则预计2010年第4季后才会量产40奈米制程产品。
三星电子计划在年底前将40~50奈米制程DRAM产品比重提升至90%以上,30奈米DRAM则提升至10%。由于成本构造较竞争业者佳,因此三星也能透过降低成本价格以压迫后继企业。
30奈米制程产品更加微细化,资料处理速度可达PC用产品的最高速度2133Mbps,较原本的DDR3快1.6倍,较DDR2快3.5倍。此外也大幅降低了耗电量。桌上型电脑上若采用4GB容量记忆体,以30奈米2Gb DRAM为主的模组每小时耗电量仅达1.73瓦(Wp)。目前DRAM市场主流50奈米DRAM模组耗电量达4.95瓦,相较之下耗电量节约了一半以上。
三星将主打省电功能并集中使用在用电量较高的伺服器领域,三星自2009年9月便与伺服器业者共同推广强调可减少耗电量的绿色DDR3。三星电子在量产30奈米2Gb DDR3 DRAM后,确定将于2010年内量产30奈米4Gb DDR3 DRAM以扩大30奈米DRAM市场。
三星半导体事业部记忆体负责人赵秀仁表示,三星将以业界最优秀的亲环境绿色记忆体30奈米制程DRAM提供让伺服器客户,以至电脑客户满意的选择。