自从Spansion脱离破产保护之后,持续执行轻资产策略,日前不但出售位于日本的两座厂房(JV3和SP1)予德仪,也将位于欧洲的NAND Flash资产转移予尔必达。这次,Spansion宣布与尔必达共同拓展双方合作关系范围,除了NAND 制程技术与产品研发之后,并签定晶圆代工协议,双方也将寻求在NOR Flash上的合作机会。
另外,尔必达也取得Spansion NAND IP 技术的非独家授权,该项技术乃是以其MirrorBit®的电荷捕获技术(charging-trapping technology) 作为基础。尔必达将运用其位于日本广岛晶圆厂的12吋(300公厘)尖端制程技术,生产高阶的NAND 新产品,双方各自进行客户行销。至于NAND 产品的联合研发与技术移转活动,也将会在日本尔必达广岛晶圆厂进行。为了拓展结盟范围,双方也有意探究其他可能的合作领域,例如NOR Flash产品与制造。
目前双方计划从43奈米切入,未来再导入32奈米,于尔必达日本广岛12吋晶圆厂生产,尔必达也将为飞索代工。
随着切入NAND Flash领域,尔必达在内存产品线的布局上越来越完整,除了现有的标准型DRAM、利基型内存(SDRAM)、Mobile RAM外,日前也向破产的奇梦达买下绘图卡内存 (GDDR)技术,目前正交由台系内存厂华邦生产;尔必达自己的广岛厂产能几乎都转型去做Mobile RAM产品。
在标准型DRAM上,目前主要生产基地是与力晶合资的瑞晶,旗下有8万片12吋晶圆厂产能,其它合作伙伴还包括力晶和茂德等,目前主力制程为63奈米,接下来要切入45奈米制程。
尔必达总裁暨执行长阪本幸雄(Yukio Sakamoto)表示,与Spansion 结盟,使得尔必达与取得Spansion NAND IP 技术的授权,能研发先进的NAND 产品,再配合公司本身DRAM 产品,将可为手机与数位消费产品等市场提供更完善的服务。
Spansion 运用其MirrorBit 电荷捕获技术,开发出极具弹性与可扩充性的快闪记忆体技术,未来双方将共同研发NAND,并在NOR Flash领域有进一步合作的可能性。双方的合作有助于尔必达取得一项兼具竞争力与可扩充性的NAND 技术,Spansion 也因研发支出降低,而获得具备成本效益的制造方案。
Spansion 总裁暨执行长John Kispert 指出,与尔必达合作,有助于Spansion推展其策略。透过NAND 的联合研发与晶圆代工协议,Spansion 便能有效扩增其产品项目,并为客户增添价值。
Spansion 企业行销总监John Nation也表示,这次双方将在既有的合作关系上的拓展与延伸,从先前双方在研发、 IP授权与资产转移,扩大到晶圆代工服务,而且透过与尔必达结盟,代表着Spansion在可负担的方式下达到客户的需求。藉由较小的投资即可拓展市场并精进本身的技术。
John Nation指出,Spansion与尔必达已经开始合作好一阵子,而共同合作的技术研发也顺利进行中。目前为止,很多工作与进展都以43奈米的产品为主,未来也计划采用32奈米制程。
另外,John Nation强调,Spansion日前出售在日本的两个厂房(JV3和SP1)予德仪,并不会影响到Spansion产品的供应,依照既有与晶圆厂的协议, JV3还是会持续提供晶圆予Spansion,至于SP1则从未完全进入NOR的生产,因此也将不会对Spansion的制造能力造成影响。
Spansion主要的核心制造基地为位于德州奥斯丁的Fab25,是一个可灵活运用的厂,可生产NOR 产品包含110奈米(与Spansion JV3厂的技术相同)、90奈米与65奈米,而不足的产能由其他的晶圆代工厂支援,这次与尔必达在晶圆代工的协议,将会扩充新的NAND Flash记忆体制造资源。