内存厂下半年筹资动作相对积极,旺宏(2337)将规划一笔约150亿元银行团联贷,预估负债比率将微幅升至20%;

受到制造设备供应量有限、制程转换面临挑战的影响,2010年下半年DRAM供给量可能将会低于需求。预期,2010年DRAM出货量将年增48.6%至1,590万颗(以1GB颗粒来计算),而多数成长将落于下半年,Q3、Q4 DRAM出货量季增率皆将达到11 %。

NOR Flash产业2010年上半走大行情,受惠供不应求之故,NOR Flash价格每个月都大幅调涨,且台系业者华邦和旺宏也打入众多国际大厂供应链,营收和获利都相当丰收。

全球第2大内存制造商Hynix Semiconductor已利用位于南韩中部的忠清北道清州的工厂开始量产采用20奈米(nm)世代制程的NAND型闪存(Flash Memory),和Hynix现行先端产品(采用32nm制程)相比其生产性可提升60%。

华邦在NOR Flash产品在线7月开始全线转进90奈米制程,58奈米制程明年下半年量产,年底拉升至1万片12吋晶圆厂产能的目标不变;此外,华邦也会持续推出新产品,因此第3季对NOR Flash产品线的成长动能仍不看淡。

飞索(Spansion)在NOR Flash产业势力削弱之后,台系NOR Flash大厂纷纷瓜食飞索的地盘,目前飞索赖以维生的命脉之一车用NOR Flash产品,除了旺宏大张旗鼓宣布要抢进。

DRAM市场上游赚饱饱、下游惨兮兮的情况,看来并不是件意外事件,因为DRAM价格一路缓跌,正是造成今年DRAM产业上肥下瘦的最大原因。

记忆体制造厂华邦电 (2344)总经理詹东义表示,尽管近期市况变化大,而且NOR Flash供需平衡点提前在第三季发生,不过第三季整体展望仍谨慎乐观,仍将可以维持强劲的成长力道。

内存模块厂威刚自结7月营收为新台币35.38亿元,与上月营收35.64亿元相近,累计前7月营收为257.88亿元;威刚7月营收中,NAND Flash相关产品比重增加,但相对地,DRAM模块营收贡献则大减。

据报导,由于产能扩增效果显现,三星电子(Samsung Electronics)第2季在内存半导体NAND Flash市场中以市占率40%,销售成长率12.8%,坐稳全球第1名宝座。

根据调查,今年全球DRAM厂皆无扩大产能的计划,主要布局制程转进,根据统计,第二季投片量仅比第一季微幅增加约3.8%,产出约增加10%。

下游的内存模块厂(DRAM Module),更需要拥有高度敏锐的市场嗅觉,他们往往面对买价高、卖价低,压错宝的高存货损失,一个不小心,整个公司就宣告关门大吉。

据报导,三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等内存半导体大厂打算增加除计算机外,如服务器、行动、绘图(Graphic)等利基型DRAM(Specialty DRAM)的销售比重。

今年上半年全球半导体需求急剧增加,刺激韩国半导体的出口和出口价。韩国上半年半导体的需求同比增加了95.6%,出口额达到了241亿美元。这是韩国半导体历年来出口最多的半年,半导体也因此在韩国全部出口中所占比例扩大到10.9%。

NOR Flash价格从今年第1季起涨以来,替NOR Flash大厂赚进不少钞票,然而原本价格就抗涨的的NOR Flash价格将在第3季见顶,第3季供需缺口已有所收敛,第4季在季节性调整下,有可能出现下跌走势。

简讯快报

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