据报导,由于产能扩增效果显现,三星电子(Samsung Electronics)第2季在内存半导体NAND Flash市场中以市占率40%,销售成长率12.8%,坐稳全球第1名宝座。
据统计,第2季世界NAND Flash市场规模达47.76亿美元,较2010年第1季增加9.5%。2010年第1季原以4.8个百分点的微小差距,紧追在三星之后的东芝(Toshiba),第2季市占率仍停留在33.1%。三星拉大与东芝的市占率差距,以7.3个百分点领先。
位居第3的美光(Micron)市占率第1季为12.1%,第2季微幅下跌至12.0%。而海力士半导体(Hynix)则小幅增加0.4个百分点,第2季市占率为8.3%,位居第4。
三星和海力士合计的全球市占率达48.7%,与第1季相比,三星销售成长率达12.8%、海力士达14.2%,成长率高居前2位,南韩半导体业在全球市场上仍相当活跃。
三星和海力士第2季在DRAM市场的占有率各为33.8%、21.4%,也维持了1、2位的名次。
专家认为,南韩半导体业者之所以能取得市场领先地位,是由于透过早期投资以提升生产制程的效率。三星相关人员表示,2010年下半也将提升生产效能,提高高附加价值产品销售比重,以确保在全球? 奕鶪W的先驱地位。