据研究报告指出,受到制造设备供应量有限、制程转换面临挑战的影响,2010年下半年DRAM供给量可能将会低于需求。预期,2010年DRAM出货量将年增48.6%至1,590万颗(以1GB颗粒来计算),而多数成长将落于下半年,Q3、Q4 DRAM出货量季增率皆将达到11 %。相较之下,2010年Q1、Q2的DRAM出货量季增率均不到10%。
2010年DRAM市场集中在下半年出现高成长,这将令供应商的产能大为吃紧。全球最大半导体微影设备制造商ASML Holding NV无法供应足够的设备,导致整体DRAM产能面临挑战;虽然ASML可望在今(2010)年额外供应33台浸润式曝光机(immersion scanner) ,但仍无法解决短缺问题。
DRAM产业还面临了一项较为严重的难题,即50奈米以下制程的良率偏低,而这必须仰赖浸润式曝光机的协助。三星电子、Hynix与美光等资源较丰富、有制造NAND型快闪记忆体经验(制程较DRAM先进)的大型厂商均已成功导入较小的微影(Lithography)制程,但对其他资源较不丰富的厂商而言,制程转换面临挑战恐将减少他们的出货量。
举例来说,日本DRAM大厂尔必达(Elpida)预定将在第2季由6x奈米制程转为45奈米制程,在此过程中势必会遭遇良率问题;一旦该公司与科技伙伴瑞晶面临了预期之外的良率问题,则两家公司的位元出货量很有能受到严重影响。类似的情况很可能会导致2010年全球DRAM出货量年增率较原先预期的49%减少2-4个百分点,甚至可能促使价格升高,进而令已经解决制程转换问题的厂商受惠。