以目前最夯的苹果(Apple)iPhone 4G为例,便是采用MCP设计将所有零组件包裹在一起,未来宏达电亦会逐渐由eMMC解决方案走向MCP设计,这不但是手机内存设计主流趋势,亦是NAND Flash大厂和模块厂都亟欲抢食的商机。

下半年DRAM传统旺季效应仍在,但价格仍难逃下跌走势;由于供给成长将大于需求,导致第三季、第四季DRAM价格将逐季下跌10%、12%,尤其第四季最为明显。

2010年NAND Flash产业真是十分惨淡的1年,好不容易熬到第3季传统旺季,8月初合约价却还是跌不停,记忆体业者表示,苹果(Apple)、诺基亚(Nokida)等大厂需求仍十分强劲,但零售市场买气不振,模组厂拿货意愿不高,把平均合约价给拉下来。

2010年快闪记忆卡、小型记忆卡、随身碟等NAND Flash相关产品的买气始终不振,单是靠容量倍数增加,似乎已引不起消费者太大兴趣,因此2010年零售市场的买气相当清淡,连带影响内存模块厂的营运疲弱不振。

内存模块市场汰旧换新,主流规格已由DDR3取代DDR2芯片,模块厂2010年第3季陆续推出一系列DDR3新产品因应潮流。

近期DRAM现货报价出现止跌回稳走势,根据报价显示,DDR3 1Gb品牌颗粒价格力守2.5元美元,至于DDR2在连续三个交易日反弹过后,再度出现跌势,表现较为疲软。

PC OEM客户买气不振,第3季传统旺季却不见春燕来临,使得8月上旬DRAM合约价格持续下跌,主流规格DDR3模组合约价下跌4~5%,DDR2模组合约价则下跌8~9 %;

受DRAM价格急遽滑落、庞大库存跌价损失冲击,国内记忆体模组厂第2季获利持续萎缩;反观DRAM制造厂获利则普遍较第1季好转,逐步转变成上肥下瘦局面。

南亚科是台塑旗下的DRAM大厂,在DRAM制程技术上与美系内存大厂美光(Micron)合作,同时也合资成立华亚科技。

他们将利用三星最新的30nm MLC NAND技术提高企业级SSD的可靠性和耐久性,并减少成本,提高性能,并配合希捷成熟的企业固态硬件控制器完成一个解决方案。

DRAM市场近期在模组龙头厂金士顿(Kingston)带动下再度炒热气氛,金士顿带头调涨DDR2模组价格,估计近日累计涨幅已达7~10%,闷了许久的台系模组厂亦赶紧跟进,更让原本需求不振的DDR3价格一并被拉上来,可说是一鱼两吃策略。

目前DRAM芯片厂商面临着无法获得必要生产设备和引入更新技术的窘迫境况,尽管DRAM芯片厂商正在全力走出困境,但是现在看起来仍然需要一段时间来进行突破。

上半年内存芯片价格都在高档,计算机系统厂苦不堪言,因为实在「太贵」。对内存模块厂来说,价格高档,生意做起来「风险比较大」。

进入第3季传统旺季,虽然2010年第3季旺季力道不若以往,但NAND Flash价格已逐渐止跌回稳,且终端需求逐渐加温当中,其中之前供给过剩导致价格超跌的16Gb芯片,三星、东芝(Toshiba)等陆续降低16Gb容量NAND Flash芯片,目前16Gb

存储器模块厂持续耕耘固态硬碟(SSD)市场,威刚推出新款SSD产品S596 Turbo,采用IC设计公司智微的SSD控制芯片解决方案,提供容量从32GB、64GB、128GB、256GB,应用范围从随身硬碟到内建至笔记型计算机(NB)皆可。

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