下半年DRAM传统旺季效应仍在,但价格仍难逃下跌走势;由于供给成长将大于需求,导致第三季、第四季DRAM价格将逐季下跌10%、12%,尤其第四季最为明显。
不过,国内DRAM相关业者,对市场走势则抱持乐观看法,包括力晶(5346)、创见(2451)等,都认为年底前价格下跌空间有限。
力晶更预期,DRAM价格将逐步回稳,随着旺季效应陆续发酵,加上63奈米制程跃居主力,DDR3投片比重亦超过90%,营运绩效可望走高。
价格走跌主因各家DRAM厂持续转换制程,尤其第三季三星40奈米制程良率将有所改善,位产出明显增加,国内DRAM厂商的位产出将会集中在今年第四季,统计各家DRAM厂的说法之后,预估第三季、第四季的DRAM供给成长将分别达13%、15%,高于市场需求的同期增幅。
若从DRAM合约价以及现货价来观察,在商业市场成长下,合约价的表现将相对持稳,现货市场则会相对疲软,其中DDR3因产出大举增加,跌幅更将大于DDR2。
不过,价格下滑也将刺激需求出笼,估计,今年DRAM容量需求将成长44%,其中标准型与利基型DRAM成长率各为42%、49.9%;至2012年时,整体市场需求成长率将持续增加至47.3%,届时DRAM成长幅度更可超过五成,估计达51.3%。至2012年以前,全球DRAM市场容量需求,可望维持四成的成长。