内存模块大厂金士顿(Kingston)不仅首开先例,跨足内嵌式内存领域,且是继三星电子(Samsung Electronics)和新帝(SanDisk)之后,第3家成功打入智能型手机大厂宏达电供应链的内存厂,同时金士顿亦创下第1家成功反食上游的模块厂,未来将结合东芝(Toshiba)NAND Flash芯片、尔必达(Elpida)Mobile RAM与力成封装技术,进军手机多芯片封装(MCP)市场。
过去NAND Flash大厂不断往下游发展,甚至跨足生产快闪记忆卡,抢食模块厂地盘,模块厂为保住NAND Flash大厂货源,只能默默让出OEM代工市场,专心经营零售市场生意,避免与供货商抢饭碗,2010年NAND Flash零售市场买气一落千丈,模块厂一路吃闷亏。
内存业者表示,金士顿内部已筹划进军内嵌式内存多时,原预计2011年才会登场的eMMC解决方案,进度大幅提前,且在天时、地利、人和搭配下,意外打入宏达电内存供应链,成为继三星和新帝之后,宏达电第3家内存解决方案供货商,此亦让金士顿成为第1家从下游角色反攻,吃下NAND Flash大厂商机的内存模块厂。
内存业者指出,很多NAND Flash大厂都在争取宏达电订单,但金士顿后发先至关键因素,在于支援金士顿的台系IC设计公司领先推出eMMC 4.4版本控制芯片,相较于其他竞争对手控制芯片,都还停留在eMMC 4.0和eMMC 4.3版本,让金士顿成功卡位。
此外,业界亦传出金士顿eMMC产品是搭配合作伙伴尔必达Mobile RAM芯片,因而成功进入宏达电供应链,目前金士顿eMMC产品已开始出货,其采用东芝NAND Flash芯片,并在旗下封测厂力成做封装。
宏达电原有内嵌式内存解决方案是三星moviNAND和新帝iNAND,这些解决方案都与eMMC规格类似,都是把1颗NAND Flash芯片和1颗控制芯片包裹在一起,透过NAND Flash接口与处理器(CPU)做沟通,不论是eMMC、moviNAND或iNAND等产品,对手机厂而言,最大优势在于不会因为不同供货商NAND Flash芯片,或是不同世代NAND Flash制程技术,而需要重新设计规格,这些产品就像是内嵌式记忆卡,插入后可兼容于各项产品,进而加速新机种推出时程。
值得注意的是,由于看重未来手机市场成长性将远优于PC市场,金士顿亦规划进军MCP市场,由于金士顿与策略联盟伙伴东芝和尔必达合作密切,未来将结合东芝NAND Flash和尔必达DRAM货源,加上旗下封装厂力成来切入MCP市场,集中火力在手机内存上抢下一席之地。
内存业者透露,原本尔必达和东芝亦有合作MCP产品计划,以互相支持NAND Flash和DRAM芯片方式来进军MCP市场,但彼此谈判未成,最后由与双方都关系密切的金士顿跳出来作协调角色,进而达成共识全力支持金士顿进军MCP市场,预计这将是2011年重头戏。
以目前最夯的苹果(Apple)iPhone 4G为例,便是采用MCP设计将所有零组件包裹在一起,未来宏达电亦会逐渐由eMMC解决方案走向MCP设计,这不但是手机内存设计主流趋势,亦是NAND Flash大厂和模块厂都亟欲抢食的商机。