2010年NAND Flash市场呈现两极化发展,且未来在价格上的走势,恐怕会越来越分道扬镳。2010年是3-bit-per-cell架构的TLC(Triple-Level Cell)芯片大量产出的一年,驱动成本降低,导致NAND Flash价格持续走弱,而另一原因是,TLC芯片不能用在目前最夯的智能型手机和平板计算机等内嵌式内存中,也不能用在固态硬盘(SSD)上,因此大批的TLC芯片只能倒往现货市场,有待内存模块厂帮忙消化。
相较于低价的TLC芯片持续拖累NAND Flash价格往下,MLC(Multi-Level Cell)芯片倒是持续呈现供不应求的状态,三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)等NAND Flash大厂光是接苹果和智能型手机大厂的订单,就接到手软,导致MLC市况非常热,但TLC市场极度冷清的局面。
整体来看,TLC架构的NAND Flash芯片是MLC(Multi-Level Cell)技术的下个世代,就像过去SLC(Single-Level Cell) 技术转MLC技术一样,产生的效应是NAND Flash芯片的产出量大增,也使得价格大幅下滑,最大赢家是消费者,因为消费者现在买低阶的快闪记忆卡、小型记忆卡、随身碟等产品上,售价会越来越便宜。
但2010年快闪记忆卡、小型记忆卡、随身碟等NAND Flash相关产品的买气始终不振,单是靠容量倍数增加,似乎已引不起消费者太大兴趣,因此2010年零售市场的买气相当清淡,连带影响内存模块厂的营运疲弱不振。