硬盘产业后起之秀的三星电子(Samsung Electronics),借着旗下笔记本电脑(NB)、Netbook等终端产品采用自家硬盘的方式冲高出货量,加上不惜以价格战争取与更多系统客户合作,使得在2009年稳坐全球硬盘出货第4名的东芝(Toshiba)面

南韩半导体大厂三星积极推动X3架构的NAND Flash技术,采用20奈米制程生产的X3(3-bit-per-cell)架构NAND Flash芯片正式问世,将较于2010年4月宣布量产20奈米32Gb容量的NAND Flash芯片,内存容量再度成长1倍;

NAND Flash在浮动闸(Floating Gate)技术于20奈米面临瓶颈,DRAM技术在20奈米制程以下也很难再继续微缩下去,因此有各种次世代内存冒出头来等着接棒,包括相变化内存PRAM(Phase Change RAM;PRAM)、磁性随机存取内

次世代内存百家争鸣,现在浮上台面的包括ReRAM、3D NAND Flash、相变化内存PRAM(Phase Change RAM)和磁性随机存取内存(Magnetic RAM;

目前全球硬盘排名前5大厂商包括有威腾电子(Western Digital;WD)、希捷(Seagate)、日立环球储存科技(Hitachi Global Storage Technologies;Hitachi GST)、东芝/富士通(Toshiba/Fu

2010年相当冷清的内存模块产业有新兵要加入,十铨科技将于13日正式登录兴柜,计划2011年申请上市柜,可望能炒热苦闷已久的低迷氛围!

日本DRAM龙头厂尔必达(Elpida)将与Sharp合作,携手研发情报处理速度及耗电力皆优于现行NAND型闪存(Flash Memory)的新型半导体内存「ReRAM(可变电阻式内存)」。

十铨为DRAM模块产业的后进者,因此在经营策略上也相对谨慎,不与一线大厂深耕的欧美市场正面冲突,而且在OEM的订单选择上也以利基型市场为主,不与DRAM以及NAND Flash供货商抢OEM大厂的生意,避开量大低价的杀戮战场。

DRAM模块厂十铨科技(4967)董事长夏澹宁对于内存价格后市看法悲观,认为DDR3 1Gb不久之后恐将跌破国内DRAM厂的成本价,在今年底前更可能下探至1美元,同时NAND Flash在业者制程转换下,跌价亦是难免。

DRAM价格出现明显下跌走势。究其原因,除主要应用产品PC销售趋缓外,DRAM各厂扩增产能,导致产生供需平衡状态崩解之疑虑所致。

据报导,三星电子(Samsung Electronics Co.)半导体部门总裁Kwon Oh-hyun 12日在南韩举办的商展上指出,预期至2011年上半年为止内存价格仍将续跌,但很可能会在第2季中旬开始反弹。

预期今年第四季NB出货回稳,明年第一季在中国农历年拉货效应下,可望淡季不淡;NB产业逐渐回稳,有利DRAM需求,明年第一季DRAM价格跌势有机会趋缓。

排名在三星(Samsung)、海力士(Hynix)之后的全球第三大DRAM厂尔必达(Elpida Memory),正考虑收购台湾DRAM同业以巩固自身市场地位?

全球第3大DRAM厂日商尔必达上周宣布有意入股台湾DRAM厂,外传茂德会是投资目标之一。据报告指出,尔必达若成功联合台湾DRAM业者,对全球前两大记忆体业者、韩国的三星及海力士来说,将是潜在威胁。

内存模块龙头大厂金士顿(Kingston)宣布携手联强国际,双方将合作在泰国成立授权换修中心,目的在于加强服务网络的便利性,金士顿首家换修中心将从10月11日起正式营运,包括了泰国境内的23个据点,都交由联强负责运作。

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