十铨:DDR3 1Gb年底可能下探1美元

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-10-13 08:28
DRAM模块厂十铨科技(4967)董事长夏澹宁对于内存价格后市看法悲观,认为DDR3 1Gb不久之后恐将跌破国内DRAM厂的成本价,在今年底前更可能下探至1美元,同时NAND Flash在业者制程转换下,跌价亦是难免。
DDR3 2Gb(256Mx8)即将在2011年成为标准型DRAM主流规格,为了反映市场趋势,根据10月12日下午6点的最新报价来看,DDR3 2Gb品牌颗粒均价为3.87美元,下跌0.25%,至于DDR3 1Gb(128Mx8)的品牌颗粒均价跌破2美元大关,来到1.99美元,同规格的有效测试颗粒报价为1.74美元,再度创下波段新低。
夏澹宁表示,对于DRAM模块厂商来说,内存IC的采购成本占总成本达70-80%之多,因此容易受到内存价格涨跌影响,未来内存价格仍然看跌,只要不大量采购、降低库存,可以减少价格波动的风险,现在公司的采购政策,就是跟供货商达到「要多少给多少」的模式,绝对不接受供货商的塞货。
从DRAM市场来看,夏澹宁说,三星电子几乎已经全部转进DDR3 2Gb产品,DDR3 1Gb产品将不再生产,反观国内DRAM厂在DDR3 2Gb的进度上却相对落后,预料在三星电子价格主导之下,今年第四季,DDR3 1Gb的价格可跌会下探1美元,将会在1-1.5美元区间震荡,也将跌破多数DRAM厂的成本价。
为了跟进市场主流,台塑集团旗下的南科(2408)、华亚科(3474)积极赶进度,但预料今年底前,DDR3 2Gb的成效还未能显现。尔必达阵营的力晶(5346)碍于仍以63奈米制程为主,卡位DDR3 2Gb的脚步相对落后。
市场预料,三星在拥有市占率以及制程领先的优势下,将主导DDR3 2Gb成为2011年的标准规格,台系DRAM厂必须加速转换制程的速度,提升良率降低成本,不然短期之内,除了DDR3 1Gb恐将跌破现阶段的成本价之外,DDR3 2Gb在不久之后,亦可能下探至3美元。
至于NAND Flash的部份,夏澹宁认为,NAND Flash厂扩厂动作积极,主流制程也微缩至3X奈米制程,将大量产出NAND Flash,因此后市跌价是无法避免的,不过低价NAND Flash将可以刺激SSD固态硬盘的需求。
夏澹宁进一步表示,SSD现在价格偏高,必须要等到1Gb等于1美元的时候,才会有需求浮现,预料至少要等到2012年底到2013年期间,SSD才可能大量取代现有的传统硬盘HDD,即NAND Flash以2X奈米制程大量产出之际,不过取代的速度将不如当初NAND Flash取代CD储存的情况。
市场相当关心USB3.0未来的发展,夏澹宁说,英特尔已宣布在处理器芯片系统内建USB3.0高传输规格,预计从现在开始到2011年第二季陆续推出相关支持架构,预料USB3.0的应用以及需求将会在2011年第二季正式起飞,成长性值得期待。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

简讯快报

更多