南韩半导体大厂三星电子(Samsung Electronics)积极推动X3(3-bit-per-cell)架构的NAND Flash技术,采用20奈米制程生产的X3(3-bit-per-cell)架构NAND Flash芯片正式问世,将较于2010年4月宣布量产20奈米32Gb容量的NAND Flash芯片,内存容量再度成长1倍;特别的是,三星已逐渐在NAND Flash产品中导入与东芝(Toshiba)合作开发的Toggle DDR技术,传输效能大幅提升,有助于让NAND Flash应用之路更宽广。
NAND Flash大厂不断在制程技术、产品容量、规格上推陈出新,除了持续降低成本以维持竞争力之外,也符合NAND Flash产品的逐渐朝高容量和高速传输的应用迈进,像是2010年最火红的平板计算机和智能型手机,对于NAND Flash容量的要求,都跳脱快闪记忆卡和随身碟的4GB、8GB等需求。
三星再度抢先宣布将以20奈米制程技术生产64Gb容量的3-bit-per-cell架构NAND Flash芯片,相较于以30奈米制程来生产32Gb芯片,其容量增加60%之多;再者,三星在NAND Flash技术上导入Toggle DDR1.0技术规格后,将比原有的SDR架构效能更大幅提升。
新NAND Flash规格技术Toggle DDR是由三星和东芝(Toshiba)两大NAND Flash巨擘,以DDR(Double Data Rate)的接口技术为基础所共同制订的新技术。
原有的SDR NAND FLASH架构传输速度为每秒40Mb,Toggle DDR 1.0技术规格的最大传输速度提升至每秒133Mb,而Toggle DDR 2.0的最大传输速度更提升至每秒400Mb,是Toggle DDR 1.0技术的3倍,更是现有SDR NAND FLASH架构传输速度的10倍;再者,三星和东芝已向JEDEC固态技术协会(Solid State Technology Association)提出了标准化方案。
三星2010年也开始将Toggle DDR技术导入量产,也推出第1款采用Toggle DDR技术的SSD,是采用30奈米制程的32Gb芯片制造,此款SSD的连续读取速度最高可达每秒250MB,连续写入速度最大可到每秒220MB。
东芝在24奈米制程技术以下,也会导入Toggle DDR技术,未来Toggle DDR技术可望成为NAND FLASH产业的标准配备。
三星和东芝加速20奈米世代NAND Flash技术的演进,也是为了赶上美光(Micron)和英特尔(Intel)抢先量产25奈米制程,再度达到制程领先。
内存业者表示,未来NAND Flash产品最大应用是在智能型手机和平板计算机等内嵌式内存、固态硬盘(SSD)上,已跳脱过去都是应用在快闪记忆卡、随身碟和MP3播放器等领域,因此对于NAND Flash芯片的容量和传输速度要求都相当高,三星和东芝这两大NAND Flash供货商驱动技术不断往前,无非也是尽快符合产品应用面所需。