次世代内存百家争鸣,现在浮上台面的包括ReRAM、3D NAND Flash、相变化内存PRAM(Phase Change RAM)和磁性随机存取内存(Magnetic RAM;MRAM)等,每种技术都有大厂投入研发,甚至很多内存大厂不只压宝一种次世代内存技术,因为以目前的局势来看,还看不出哪一种技术最终会胜出成为主流。
像是MRAM次世代内存技术投入的国际大厂相当多,包括IBM、英飞凌(Infineon)、东芝(Toshiba)、三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等,南韩政府甚至资助三星和海力士投入MRAM的开发计划,补助一半的研发经费,誓言要保卫南韩内存领先的地位。
根据MRAM的特性,未来目标是整合PC内部所有的内存,在SoC设计中最后只会剩下CPU与MRAM。再者,像是ReRAM也是1种次世代内存技术,未来应用面的目标是取代NAND Flash和DRAM。
PRAM也有英特尔(Intel)/恒忆(现并入美光)、三星、旺宏/IBM等3大阵营正在研发。